根据公告，第三期项目拟由佛山清溢微作为实施主体，在现有厂房基础上改造并引入新设备扩建生产线，主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版，项目建设地点为佛山市南海区，建设期为36个月，预计开工时间为2026年12月。项目资金来源为佛山清溢微的自有或自筹资金，不涉及募集资金。

公司早在2023年8月披露公告，计划在佛山市南海区投资35亿元建设佛山生产基地项目，其中高端半导体掩膜版生产基地建设项目分三期建设，合计拟投资15亿元。目前一期已顺利投产，二期正稳步推进中。

清溢光电表示，此次三期项目定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能，聚焦28nm-14nm节点掩膜版产品供给，承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的掩膜版增量需求，有助于补齐国内先进制程掩膜版供给短板；依托本土交付、快速技术协同、稳定保供优势，服务国内芯片设计与制造产业链，提升先进节点掩膜版自主供给能力。

项目建设完成后，可提高公司半导体掩膜版产品的技术能力和产能，优化公司半导体掩膜版的产品结构，提升技术和工艺水平，提升公司在半导体掩膜版市场占有率。

核校：杨宁