据介绍，该材料展现出优异的电学性能，在晶体管阵列中实现了极高的迁移率与接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，并在超短沟道（10 nm以下）器件中，其关键参数 — 包括工作电压、栅极长度、漏致势垒降低（DIBL）、…
