消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运
4月前三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。平泽 P4 生产的 DRAM 有望用于 HBM4。
TrendForce：2025 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍
4月前DRAM 内存产业 2024 年第二季合约价维持上涨姿态，具体涨幅落在 13%~18% 区间。
赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解
4月前奇梦达曾一度成为全球第二大 DRAM 供应商，但因多方面原因于2009年申请破产。
双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
4月前无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。
消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价
4月前今年整体消费者需求偏低，AI PC带来的换机潮尚未发酵，导致存储模组行业企业面临现金流压力。
DRAM 迎来降价周期，DDR4 8Gb 1Gx8 内存 9 月降幅达 17.07%
4月前自去年 10 月以来，DRAM 价格一直在稳步上涨，但 8 月下跌了 2.38%，这也是 DRAM 报价首次下跌，然后就是 9 月跌幅进一步加大。
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
4月前三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。
面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存
4月前OCTRAM 为一种采用 IGZO 晶体管的 4F2 VCT DRAM，较以往产品漏电流更低，能效更为优秀。
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
4月前助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，提升键合强度与质量，但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。
TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%
4月前三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
4月前三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。
消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2025 年内难以向英伟达供应
4月前据悉三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求并非因键合工艺不同导致。
TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%
4月前2025Q1 进入 DRAM 市场淡季，在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下各类别内存价格均将下滑。
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
4月前1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。
消息称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试生产
4月前逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，同时也是发热大户。
消息称美光将加入 16-Hi HBM3E 战场，已在进行最终设备评估
4月前美光曾表示该企业的目标是将其在 HBM 细分市场的占有率从此前的低个位数百分比提升至与整体 DRAM 领域相当的 20%。
英睿达DDR5内存再升级，64GB单条版本2月来袭，多种规格任你选
4月前美光英睿达还准备了128GB的套条版本，型号为CT2K64G56C46U5，适合需要更高内存容量以支撑多任务处理的用户。目前，两条48GB的DDR5-5600笔记本内存套装售价为1695元，而64GB套条的价…
合理设置虚拟内存的重要性与调整建议解析
4月前但反过来，如果你只是用电脑来浏览网页、看视频或者处理一些简单的文档，那么可能不需要太多的虚拟内存，设置在1倍左右就可以了。如果你使用的是固态硬盘（SSD），那么读取速度会快很多，虚拟内存的效果也会相对好一些。…
为什么有些人买两千元的中端手机，可以用四五年才换？
4月前我现在说一部手机，买来能用个四五年，可能大家都不会觉得很稀奇，但放在四五年前，可能很多人都会表示不屑，因为除了苹果手机，大部分手机的耐用性都没有那么出色，更别说两千元的中端机了，很多人觉得能用个三年就很不错了…
春节备战50系显卡：就选华硕X870、Z890主板
4月前华硕ROG Z890吹雪主板采用16(90A)+1(90A)+2(90A)+2(80A)供电模组，搭配双8Pin ProCoolII高强度电源接口和超大银白一体式散热装甲，可尽情释放酷睿Ultra 200…
金士顿 64GB CUDIMM 即将推出，华硕部分主板支持四根 5600MTs
4月前IT之家 1 月 20 日消息，华硕本月 12 日表示，金士顿即将推出单条容量即达 64GB 的 ValueRAM DDR5 6400MTsCUDIMM 内存条，而对于少数希望四根插满实现 256GB 总…
2021压轴之作！金泰克战虎G3、G4高速RGB内存问世
5月前区别于战虎G3，战虎G4拥有极光白、幻夜黑两种外观颜色，简单大气；机身线条纹路运用镭雕工艺，整体风格极具个性魅力；材质上选用散热速度快的金属铝质搭配导光塑胶材质，马甲和内存之间加入了导热材料，散热效果更佳，以…
小米年度大作！卢伟冰谈小米12：既是升级 也是一次转身
5月前据悉，小米12采用6.28英寸微曲OLED柔性屏，搭载高通骁龙8旗舰处理器，后置主摄为5000万像素，支持OIS光学防抖，支持67W超快闪充。 此外，小米12出厂预装MIUI 13系统。这是小米…
AMD新一代旗舰游戏本处理器，R9 6900HX细节曝光
5月前除此之外，消息称 Ryzen 9 6900HX 的 CPU 将升级为 Zen3+ 架构，6nm 工艺打造，仍为 8 核 16 线程，最高频率 4.6GHz，支持 DDR5-4800 内存，不会采用 3D…