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上海交大团队制备黑磷纳米带实现高性能晶体管，有望应用于下一代集成电路(上海交大clgo)

这项研究不仅为制备高质量、边缘手性明确的黑磷纳米带提供了一种新方法，还揭示了块体黑磷原料晶格预应力与黑磷纳米带形成之间的内在关系，为后摩尔时代先进集成电路提供了一种兼具可调带隙和高迁移率的沟道候选材料。 陈…