『半导体』所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍频实现193nm深紫外激光(新疆『半导体』行业)
近期，中国科学院『半导体』研究所赵德刚研究员团队和中国科学院新疆理化技术研究所潘世烈研究员团队合作，在GaN基近紫外激光器（OpticsLetters, 2024, 49: 1305）和氟化硼酸盐深紫外非线性…
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掺钕激光增益介质（Neodymium-doped Laser Gain Media）(铒钕激光)
这种新型的激光增益介质因其独特的物理特性和优异的激光性能，迅速引起了科研界和工业界的广泛关注，从而开启了掺钕激光增益介质的研究和应用之路。其中，增益系数是衡量激光增益介质性能的重要指标，它反映了激光增益介质在…
掺杂过渡金属的激光增益介质（Transition-metal-doped Laser Gain Media）(掺杂过渡金属的方法有)
掺杂过渡金属的激光增益介质是一种新型的激光材料，其诞生背景主要是为了解决传统激光材料在某些方面的不足。掺杂过渡金属的激光增益介质就是在这种背景下诞生的。 目前，市场上主要的掺杂过渡金属的激光增益介质产品主要…
掺铒激光增益介质（Erbium-doped Laser Gain Media）(激光增益系数公式)
掺铒激光增益介质的诞生背景主要源于对于更高效、更稳定的激光器的需求。 掺铒激光增益介质的工作原理主要是通过铒离子的能级跃迁产生激光。在激光器中，掺铒激光增益介质可以提供高功率、高质量的激光，用于切割、焊接等…
掺铬激光增益介质（Chromium-doped Laser Gain Media）(激光增益系数)
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