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『半导体』所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍频实现193nm深紫外激光(新疆『半导体』行业)

近期，中国科学院『半导体』研究所赵德刚研究员团队和中国科学院新疆理化技术研究所潘世烈研究员团队合作，在GaN基近紫外激光器（OpticsLetters, 2024, 49: 1305）和氟化硼酸盐深紫外非线性…