HBM4 内存标准即将定稿：堆栈通道数较 HBM3 翻倍，初步同意最高 6.4 Gbps 速度
4月前行业标准制定组织 JEDEC 固态技术协会昨日（7 月 10 日）发布新闻稿，表示 HBM4 标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶堆栈性能之外，还进一步提高数据处理速率。
消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片
4月前此举可提高 HBM4 内存综合能效；为客户定制功能导入留足空间；还可为 LSI 部门提供先进制程订单。
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
4月前三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。