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HBM4 内存标准即将定稿:堆栈通道数较 HBM3 翻倍,初步同意最高 6.4 Gbps 速度

行业标准制定组织 JEDEC 固态技术协会昨日(7 月 10 日)发布新闻稿,表示 HBM4 标准即将定稿,在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶堆栈性能之外,还进一步提高数据处理速率。

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消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片

此举可提高 HBM4 内存综合能效;为客户定制功能导入留足空间;还可为 LSI 部门提供先进制程订单。

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消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒,未来将用于 HBM4 内存

三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线,但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。

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