整体产能升至以往四倍,德州仪器日本会津工厂启动氮化镓功率『半导体』生产
此次投产也意味着德州仪器可将其 GaN 器件扩展到 900V 乃至更高的电压,开创更为广阔的应用场景。
此次投产也意味着德州仪器可将其 GaN 器件扩展到 900V 乃至更高的电压,开创更为广阔的应用场景。
罗姆此前已在 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT 工艺推出了 EcoGaN 系列新『半导体』产品。
英诺赛科是一家专注于第三代『半导体』氮化镓研发与制造的高新技术企业,拥有“全球最大的氮化镓功率『半导体』生产基地”,产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封『芯片』、模组等,可应用于消费与家电、『数据中心』、汽车电子、『新能源』与工业等领域。
该衬底具有同氮化镓更为接近的热膨胀系数,减少了上氮化镓外延层出现缺陷的风险。