碳化硅MOSFET在家庭储能（双向逆变，中大充）的应用优势
4月前参数B3M040065L（SiC）OSG60R033TT4ZF（Si）导通损耗0.69 W管0.82 W管开关损耗11.5 W管10W管反向恢复损耗4 W管48 W管合计16.19 W管58…
久旱逢甘霖，SiC 晶圆巨头 Wolfspeed 同美国政府签署 7.5 亿美元补贴备忘录
4月前该补贴将用于支持 Wolfspeed 的 8 英寸 SiC 晶圆大规模量产工厂建设和现有器件工厂扩建。
Wolfspeed 因电动汽车需求不及预期搁置在德建设 8 英寸碳化硅晶圆厂计划
4月前Wolfspeed 表示该公司在可预见的未来已具备足够产能用于支持客户产能爬坡计划。
天岳先进发布业界首款 300mm（12 英寸）N 型碳化硅衬底
4月前300mm 碳化硅衬底材料能够进一步扩大晶圆面积利用率，显著提升碳化硅器件生产的经济效益。
电装 Denso、富士电机承诺投资提升日本 SiC 产能，日政府最高补贴 13
4月前Denso、富士电机将合计投资 2116 亿日元，提升日本 SiC 晶圆、外延片、功率半导体产能，保障日本本土供应链稳定。
碳化硅晶圆巨头 Wolfspeed 被指濒临破产，2025 财年亏损扩大 74%
4月前Wolfspeed 预计 2025 财年第一季度的收入在 1.85-2.15 亿美元（当前约 13.18 - 15.32 亿元人民币）之间，非 GAAP 每股亏损预计在 90 美分至 1.09 美元之间。
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术：历时 4 年自主研发，打破平面型芯片性能“天花板”
4月前“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首