mos所需驱动『芯片』驱动电流怎么计算(mos驱动『芯片』电流不足)
MOS驱动『芯片』所需驱动电流的计算需从瞬态峰值电流和平均电流两个维度考量，核心公式为I_peak = Qgt_rise，但工程设计中需综合开关频率、栅极电荷、允许开关时间及裕量，避免陷入"电流越大越好"
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参数B3M040065L（SiC）OSG60R033TT4ZF（Si）导通损耗0.69 W管0.82 W管开关损耗11.5 W管10W管反向恢复损耗4 W管48 W管合计16.19 W管58…
