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宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组：宽禁带半导体氮化镓、碳化硅的最新研究进展

针对这一瓶颈，陈敬教授课题组提出采用N型掺杂的GaN帽层作为半导体栅极以取代传统的金属栅极，构建n-GaNp-GaNAlGaNGaN增强型HEMT，具体结构如图2-1所示，其中在有源区沟道上方的n-Ga…