当高压偏压作用于高压MLCC时，在其相对端部和相对电极结构之间建立了电位差，但电场集中在掩码电极上，而不是在termina表面和各自的第一对电极上。 这使沿芯片表面的电位差最小化，大大提高了小尺寸器件和高孔…
