能制备出PN结型高效率半导体发光器件一直是本领域追求的目标，hBN薄膜的np掺杂问题(尤其是n型掺杂)一直是重大的科学和技术难题。hBN薄膜掺杂的突破，意味着六方氮化硼可以作为深紫外光电器件的主体材料，为后…
