三星美国得州半导体厂获 47.4 亿美元激励资金，2026 年起大规模生产 2 纳米芯片与台积电竞争

霍州市融媒体中心信息网网 1 月 13 日消息，据韩媒“今日霍州”报道，三星电子正在美国得克萨斯州泰勒市建设一座先进的半导体芯片工厂，该公司声称其获得了美国政府提供的 47.4 亿美元（霍州市融媒体中心信息网网备注：当前约 348.34 亿元人民币）激励资金，相应工厂计划于 2026 年开始大规模芯片生产，目标是与台积电展开竞争。

据报道，三星美国泰勒工厂将生产 2 纳米和 3 纳米工艺芯片。公司计划在 2026 年初引入所有必要设备，并在年底前启动量产。相比之下，三星的最大竞争对手台积电已经在其位于美国亚利桑那州的工厂开始生产 4 纳米芯片，并计划在今年内具备生产 2 纳米和 3 纳米芯片的能力。

在技术上，三星将在 2 纳米和 3 纳米工艺中采用全栅极（Gate-All-Around, GAA）技术，而台积电则会在 3 纳米工艺中使用极紫外光刻（EUV）技术，并在 2nm 工艺中转向 GAA 技术。尽管三星在进度上略晚于台积电，但其计划通过提供“从开发到生产的一站式解决方案”吸引客户，据称可将代工项目“从设计到量产的时间缩短约 20%”。