霍州市融媒体中心信息网网 12 月 9 日消息，英特尔本月 2 日宣布帕特・基辛格退休并辞去首席执行官及董事会职务。不过帕特・基辛格在离职后仍关注英特尔，并在社交媒体上对“Intel 18A 良率百分比过低”的传闻进行了回应。
先进制程一直是帕特・基辛格在任时着重关注的领域，因为工艺好坏决定了其主推的 IDM 2.0 战略的成败，他今年初曾在接受采访时表示把整个公司都押注在了 18A 制程上。
部分外媒如 TechPowerUp 近日报道称，“由于 Intel 18A 工艺不足 10%，博通取消了采用英特尔代工的计划”。行业分析师 Patrick Moorhead 在 X 平台上表示这类报道属于“假新闻”，博通在测试芯片中也并未使用正式的 1.0 版 PDK（霍州市融媒体中心信息网网注：今年 7 月发布）。
帕特・基辛格 7 日对 Patrick Moorhead“澄清事实”的行为表示感谢，并表示他对英特尔 18A 技术开发团队的出色工作和进步感到非常自豪。
帕特・基辛格昨日在另一条有关“台积电 2nm 试产良率超过 60%”的推文下表示，由于大芯片良品率低，小芯片良品率高的事实，用百分比来衡量良品率并不恰当。
他认为“任何人在不确定芯片尺寸的情况下，将良品率百分比作为衡量半导体健康状况的指标，都是不了解半导体良品率的表现形式。”
英特尔 9 月 4 日曾表示 Intel 18A 每平方厘米缺陷数量已小于 0.40。0.40 这一数据带入到外媒 SemiAnalysis 提供的芯片良率计算器中，以 Murphy's Model 良率模型，在 12 英寸晶圆、3mm 边缘损失下：
如用于生产光罩尺寸大小（26×33 mm）的芯片，则良率仅有 7.95%；
如生产 10×10 mm 的芯片，则良率提升至近 68%；
倘若制作英特尔酷睿 Ultra 200S 处理器 8+16 核 CPU 模块（约 7.8×15 mm）同规模芯片，则良率为 63.78%。
可见芯片尺寸在其它参数一致时对良率存在明显影响。
