霍州市融媒体中心信息网网 10 月 21 日消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光『芯片』产业创新发展行动方案（2024—2030 年）》，力争到 2030 年取得 10 项以上光『芯片』领域关键核心技术突破，打造 10 个以上“拳头”产品，培育 10 家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设 10 个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光『芯片』产业创新高地。
方案提到，推进光『芯片』关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光『芯片』关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策，加快光『芯片』关键设备更新升级。
方案还提到，省重点领域研发计划支持光『芯片』技术攻关。加大对高速光通信『芯片』、高性能光传感『芯片』、通感融合『芯片』、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机『半导体』材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心『半导体』设备等方向的研发投入力度，着力解决产业链供应链的“卡点”“堵点”问题。
