射频前端作为智能终端设备的核心部件，其性能直接关系到设备的通信质量和用户体验。随着通信领域快速发展，射频前端正处在体积需减小、内部器件数量需增加的矛盾中，因此，射频前端逐渐走向模组化。
DiFEM模组作为射频前端模组化的一种重要形式，可通过集成射频开关（switch）和滤波器（filter），实现对多路信号的接收和处理，在提高集成度和性能的同时能减小体积，满足移动智能终端产品的需求。对于DiFEM模组封装技术的创新，正是推动通信设备性能提升的关键因素之一。
DiFEM模组封装实现超薄尺寸，引领行业创新
甬矽电子在DiFEM模组封装领域已取得突破性的进展，利用FCLGA封装技术，将射频开关和多个滤波器芯片高度集成在一起，实现了超薄的封装尺寸。
● 选择性空腔技术：
甬矽电子在封装模组中集成了性能稳定、工作频率高、选频特性好等优势集于一身的声表面波滤波器（SAW filter）。这种滤波器的原理在于输入端通过压电效应将电信号转化为声信号在介质表面上传播，输出端由逆压电效应将声信号转为电信号，电能与机械能的相互转化过程由叉指换能器（IDT）实现。根据声表面波滤波器工作原理，其需要空腔才能正常工作，空腔结构也是影响集成声表面波滤波器射频模组尺寸、成本、性能等关键指标的决定因素。目前，甬矽电子在整个模组封装中，通过选择性空腔技术同时实现滤波器芯片底部全部空腔结构，射频开关芯片底部100%填充。
SAW滤波器工作原理示意图
DiFEM封装模组示意图
● 高密度集成方案：
甬矽电子还通过研究多芯片组合方案，结合材料与工艺，实现了更优的芯片贴装顺序，最终解决了多芯片封装过程中机械力与热应力带来的挑战，单模组内可通过表面贴装技术实现3-8颗滤波器芯片与2颗射频开关芯片的集成。
● 可靠性验证结果：
针对芯片模组封装过程中可能出现的可靠性问题，甬矽电子对封装工艺进行了全面优化，封装成品具有优异的机械强度和可靠性，适用于各种恶劣环境下的应用。可靠性结果通过Precondition、TCT、UHAST、HTST等测试项目，符合JEDEC 国际标准。目前甬矽电子已具备相关产品的批量生产能力，封装良率可稳定在99.9%以上。
深耕先进封装，打造高端模组封装方案
模组封装中开发的技术是推动通信设备性能提升的关键因素之一，也是甬矽在高端封装技术布局中的重要一环。甬矽电子将持续进行技术创新，加大研发投入，在提高生产效率、保证产品良率的同时，继续深耕先进封装技术，将晶圆级封装、2.5D/3D封装等先进封装技术应用于更高集成度模组封装中，提高芯片的尺寸密度、信号传输速度和能效，使模组满足终端应用对芯片轻薄、低功耗、高性能的需求。随着厂区规模的扩大，甬矽电子也将拓展射频模组封装产品线，构建射频前端芯片产品封装平台，为客户提供可与国际厂商竞争的高端模组封装方案。
