其实大家都清楚，在『芯片』技术上，相对于全球顶尖水平，中国相对是落后一些的。
不管是『芯片』设计，还是『芯片』制造，或者封测，以及相关的产业链，相比较全球顶级水平，大部分的领域确实是稍稍逊色一筹。
所以一直以来，都是中国依赖国外的『芯片』，以及依赖国外的技术等等。
但是近日，有一则消息传出，那就是全球队最顶尖的存储『芯片』厂商三星，与中国的存储『芯片』厂商长江存储达成了合作，三星将在下一代3D NAND闪存设备中应用长江存储的专利技术。
这个专利技术是什么技术，业界其实是有说法的，那就是“混合键合”技术。
什么叫做“混合键合”技术呢？原理并不复杂，在存储『芯片』里面有两部分关键核心。一部分是数据存储部分，一部分是数据读写部分。
3D闪存堆叠层数越高，数据存储、读写就会快，整个电路的压力也会越来越大，特别是超过400层后，底层外围电路的压力会显著增加。
按照正常逻辑不断的提高『芯片』工艺，可以提升数据的读写速度，比如使用10纳米、7纳米、5纳米等等。
但是问题来了，数据存储部分不能无限的提高『芯片』工艺，工艺达到一个极限后，越先进数据就越不稳定。而经过厂商们的不断试验发现存储部分的稳定工艺术，要在15纳米以上。
这里就出现了矛盾了，读写『芯片』部分需要越来越高的工艺，而存储部分不需要这么高的工艺。
所以这两部分要分开，最后再放到一起去。这就是最简单的3D混合键合技术原理。
以前像三星这些厂商们使用的技术并不是特别先进，所以没有太过于重视这个问题，也没有太多的去研究这个技术。
但长江存储作为后起之秀，之前为了追上三星sk海力士，所以在4年前开创性的提出了3D“晶栈”技术，将存储和读写部分分开，其实就是3D混合键合技术的一种，并且也申请了专利。
另外在这个3D混合键合技术上，还有两家厂商拥有众多的专利，一家是美国的Xperi，一家是台积电，这三家才是专利大户。
所以，这次三星不得不使用长江存储的专利技术，因为不使用这个技术，它的最新一代闪存『芯片』就无法达到较高的性能。
可见中国『芯片』技术确实是慢慢的崛起了，这真不是吹牛，从三星使用中国企业的专利就能够看出来。
