化学气相沉积法制备石墨烯
丨just灬离殇的回答：
石墨烯的製备主要可分成固相，液相，气相三种方法，现在应用比较多的就是固相法的机械剥离法（操作简单，产量极低），外延生长法（可获得高质量的石墨烯，但对装置要求较高），液相法的氧化还原法（操作简单，产量高，但产品质量较低），气相法的化学气相沉积法（可製备大面积高质量的石墨烯）。目前应用最广泛的就是化学气相沉积法，国内许多石墨烯厂家製备石墨烯基本都是这个，像合肥微晶的cvd石墨烯产品，质量在行业中都是很好的！但化学气相沉积法生长的条件决定了生长石墨烯的质量，首先基底的选择决定了肆扰石墨烯的生长机制，然后是反应的温度对晶体生长至关重要，1000度为生长石墨烯的最佳温度。
公升温至1000度，需要给基底预热时间，保证与基底形成碳原子晶体的结构），还有在生长的过程中需要通入裂歼旦氢气与氩气，通入气体的改卖纯度也影响着石墨烯的生长。最后冷却速度对石墨烯的生长也十分重要，需要较快的冷却速度。要说工艺的难点就在于确保各项工艺引数的选择，否则石墨烯的质量就会有很大的影响！
热心网友的回答：
你做这个是做什么用的。
石墨烯製备方法
惠企百科的回答：
目前石墨烯製备方法主要包括化学气相沉积法、溶剂剥离法、氧化还原法、微机械剥离法、外延生长法、电弧法、有机合成法、春迟慧电化学法等。
以化学气相沉积法(cvd)为例：所谓cvd法，指的是反应物质于气态条件下产生化学反应，进而在加热固态基体表生成固态物质，从而实现固体材料的製成的工艺技术】。
目前，以cvd法进行石墨烯製备时通过将碳氢化合物等含碳气体通入以镍为基片、管状的简易沉积炉中，通过高温将含碳气体分解为碳原子使其沉积于镍的表面，进而形成石墨烯，再通过轻微化学刻蚀来使镍片与石墨烯薄膜分离，从而获得石墨烯薄膜。该薄膜处于透光率为80％的状态下时其导电率便高达1．1×106s／m。通过cvd法可扒答製备出大面积高质量石墨烯，但单晶镍**则过于昂贵，该方法可满足高质量、规模化石墨烯的製备要求，但工艺複杂，成本高，使得该方法的广旦羡泛应用受到限制。
靳尔筠的回答：
利用氧化还原法制作：
氧化还原法是通过使用硫酸、硝酸等化学试剂及高锰酸钾、双氧水等氧化剂将天然石墨氧化，增大石墨层之间的间距，在石墨袜慧层与层之间插入氧化物，製得氧化石墨肆好毕（graphite oxide）。
然后将反应物进行水洗，并对洗净后的固体进行低温乾燥，製得氧化石墨粉体。通过物理剥离、高温膨胀等方法对氧化石墨粉体进行剥离，製得氧化石墨烯。
最后通过化学法将氧化石墨烯还原，得到石墨烯（rgo）。这种方法操作简单，产量高，但是产品质量较低。氧化还原法使用硫酸、硝酸等强酸，存在较大的危险性，又须使用大量的水进行清洗，带大较大的环境汙染。
这是一种直接生成多晶硅的方法。lpcvd是积体电路中所用多晶硅薄膜的製备中普遍採用的标準方法，具有生长速度快，成膜緻密 均匀，装片容量大等特点。多晶硅薄膜可採用硅烷气体通过lpcvd法直洞世接沉积在衬底上，典型的沉积引数是 硅烷压力为，沉积温度td 生长速率 nm min。由于沉积温度较高，如普通玻...
cvd 化学气相沉积 是一种薄膜製备技术，其原理是在适当的气氛中提供反应气体，使其在基底表面发生祥困化学反应并沉积形成薄膜。以下是cvd的基本原理和应用 原理 .反应气体 选择适当的反应气体或气体混合物，通常是含有所需元素的化启迹合物气体。这些气体通过供气系统引入反应室。.反应气氛控制 调节反应室的...
最初混合物是只有蒸汽相吗？如果是这样，液化后组成不变，再气化时用拉乌尔专定律判断就行了。至于有两项属，如果不是恆沸溶液，气液的组成是不一样的，气体全部液化后液相组成也不会和原来气相的一致。而理想液态混合物是不形成恆沸溶液的。希望楼主能补充说明一下问题。物理化学相图中的实线与虚线有什么意义？5 实线 ...
