华进半导体封装先导技术研发中心申请TGV扇出封装结构及其制造方法专利,减小封装厚度增加信号传输速率

华进半导体封装先导技术研发中心申请TGV扇出封装结构及其制造方法专利,减小封装厚度增加信号传输速率

金融界2025年4月7日消息,国家知识产权局信息显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种TGV扇出封装结构及其制造方法”的专利,公开号 CN 119764293 A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本发明涉及一种TGV扇出封装结构及其制造方法。该结构包括:第一基板,其中布置通孔以及开槽所述通孔贯穿所述第一基板;通孔填充物,其填充在所述通孔中;功能器件,其布置在所述开槽中;第一重布线层,其布置在所述第一基板之下;第一连接结构,其与所述第一重布线层电连接;第二重布线层,其布置在所述第一基板之上;第二连接结构,其与所述第二重布线层电连接;焊球,其布置在所述第二连接结构之上,并与所述第二连接结构电连接。本发明提供的TGV扇出封装结构,将功能器件布置在玻璃基板内部,减小了封装厚度,增加了信号传输速率;通过选择合适的热膨胀系数数值的玻璃基板,减少了封装过程中基板的翘曲。

天眼查资料显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,成立于2012年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币,实缴资本34692.32万人民币。通过天眼查大数据分析,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了12家企业,参与招投标项目99次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息1092条,此外企业还拥有行政许可53个。

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