BMF240R12E2G3凭借低损耗、高耐压、强散热、高集成度及完整生态支持，成为工商业储能PCS的理想选择。其通过优化动态特性与热管理，显著提升系统效率、功率密度与可靠性，契合『新能源』领域对高性能、高稳定性功率模块的核心需求。BMF240R12E2G3成为新一代工商业储能变流器（PCS）首选的SiC MOSFET功率模块，主要基于以下产品力：
1. 基本股份SiC功率模块BMF240R12E2G3卓越的电气性能
高耐压与低导通损耗
电压等级1200V，适用于高压直流母线（如900V）场景，覆盖工商业储能PCS需求。
RDS(on)@25°C仅为5.5mΩ ，模块整体导通损耗极低，显著降低系统运行能耗。
高温特性优异：RDS(on)在175°C时仅增至8.5mΩ，高温下导通损耗增幅可控，保障重载效率。
优化的开关特性
开关损耗（Eon/Eoff）随温度升高而下降，尤其是Eon呈现负温度特性（高温下降低约5%-10%）。
在800V/240A条件下，总开关能量（Etotal）仅25.24mJ（常温）和20.82mJ（125°C），远优于竞品（如W***的26.42mJ）。
内置SiC SBD二极管
零反向恢复（Qrr≈0.59μC@25°C），反向恢复能量（Err）低至0.08mJ，降低续流损耗和EMI风险。
相比传统SiC MOSFET体二极管，VSD@240A仅1.35V（常温），浪涌电流耐受能力更强。
jrhz.info
2. 基本股份SiC功率模块高热可靠性与封装设计
先进散热技术
Si3N4陶瓷基板：导热率90W/mK，抗弯强度700N/mm²，支持高频功率循环（1000次以上无分层）。
热阻低至0.09K/W（结到壳），结合Press-FIT压接技术，确保高效散热与长期可靠性。
高温运行能力
结温支持175°C，允许更高环境温度下满功率运行。
仿真数据显示，80°C散热器温度下，150kW负载时结温仅142.1°C（逆变工况），满足严苛工况需求。
3. 基本股份SiC功率模块系统效率与功率密度提升
高频应用适配性
开关频率支持40kHz以上，结合低开关损耗，PCS平均效率提升1%（对比IGBT方案）。
模块体积紧凑（E2B封装），功率密度提升25%，助力工商业储能变流器PCS尺寸缩减。
动态性能优势
电容特性优异：Coss@800V仅0.9nF，降低关断损耗。
栅极电荷Qg=492nC，驱动功耗低，简化驱动设计。
4. 基本股份SiC功率模块可靠性与安全性设计
高阈值电压（VGS(th)=4.0V）
降低门极噪声干扰导致的误开通风险，适应复杂电磁环境。
集成NTC温度传感器
实时监控模块温度，支持过温保护策略，提升系统安全性。
米勒钳位功能兼容性
配套驱动『芯片』（如BTD5350MCWR）支持低阻抗钳位路径，抑制米勒效应导致的误触发。
5. 基本股份SiC功率模块完整的生态系统支持
配套驱动与电源方案
基本『半导体』提供隔离驱动『芯片』（BTD5350MCWR）、正激电源『芯片』（BTP1521F）及隔离变压器（TR-P15D523-EE13），形成“即插即用”驱动板解决方案，缩短开发周期。
驱动设计支持多管并联均流，优化动态一致性。
BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动『芯片』，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动『芯片』包括隔离驱动『芯片』和低边驱动『芯片』，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BASiC基本股份低边驱动『芯片』可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。
BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源『芯片』BTP1521P,BTP1521F，该『芯片』集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。『芯片』工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动『芯片』副边电源供电。
对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。
基本股份SiC功率模块仿真与实测验证
仿真数据表明，125kW 工商业储能变流器 PCS中BMF240R12E2G3在1.2倍过载（150kW）时结温仍低于175°C，满足超负荷运行需求。
双脉冲测试显示，其开关波形（如di/dt、dv/dt）和抗干扰能力优于国际竞品。
6. 对比优势
基本股份SiC功率模块与国际品牌对比
静态参数：BVdss高达1650V（150°C），VSD@200A仅1.91V（常温），显著优于W（5.45V）和I（4.86V）。
动态参数：Eon@400A/125°C仅14.66mJ，比W低8%，Err@125°C仅0.13mJ（W为0.66mJ）。
长期可靠性：内嵌SBD技术使Ron波动<3%（1000小时老化），远优于传统体二极管（波动42%）。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率『半导体』器件变革潮头：
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！
倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！
