消息称三星推动 DRAM 制程升级，多款 1y nm DDR4 内存条年底 EOL

4 月 22 日消息，台媒《电子时报》今日称，随着『三星电子』推动 DRAM 内存制程工艺的策略性转换升级，多款采用老旧 1y nm（第二代 10nm 级）工艺 DRAM 颗粒的 DDR4 模组（内存条）即将停产。

具体来看，多家供应链企业反馈收到产品 EOL（ 注：生命周期结束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 内存条的最后订购日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出货。

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报道指出，『三星电子』正快速推动传统 DRAM 内存产线向 DDR5、HBM 等较新产品的转换，而这也意味着与老旧制程关系密切的 DDR3、DDR4 逐步停产。

据悉『三星电子』已于 2024 年第二季度停产 DDR3；1y nm DDR4 产能在整体中的占比将快速从去年的 20% 上下削减至今年下半年的不足一成；再下一代的 1z nm DDR4 预计将在 2027 年停产。