编辑：LL
9N60-ASEMI无人机专用功率器件9N60
型号：9N60
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
最大漏源电流：9A
漏源击穿电压：600V
批号：最新
RDS（ON）Max：1.00Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
封装尺寸：如图
特性：MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
9N60系列MOS管：高性能功率器件助力工业与消费电子升级
在电力电子领域，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心功率开关器件，其性能直接影响系统效率与可靠性。9N60系列MOS管凭借优异参数和广泛适用性，成为中高压场景的理想选择。以下从核心参数、应用场景及产品优势三方面解析其市场价值。
一、核心参数：平衡性能与可靠性
电压与电流能力
漏源电压（VDS）高达650V，支持高压应用场景；
最大漏极电流（ID）可达10A~12A，满足中功率负载需求。
导通特性
导通电阻（RDS(ON)）低至680mΩ@VGS=10V，有效降低导通损耗；
栅极阈值电压（Vth）为3.5V，驱动电路设计更灵活。
工作稳定性
jrhz.info栅源电压（VGS）范围±30V，适应复杂电压环境；
工作温度覆盖-55℃至+150℃，保障极端条件下的可靠性。
二、应用领域：多场景覆盖
电源与逆变器：适用于高频开关电源、UPS系统及新能源逆变器，提升电能转换效率；
工业控制：用于电机驱动、传感器接口等模块，确保工业设备稳定运行；
电动汽车：支持充电桩及车载电源管理，实现高效快充与能量分配；
消费电子：集成于家电（如空调、洗衣机）功率模块，优化能耗与寿命；
医疗设备：在精密仪器中提供稳定电源管理，保障设备安全性。
