财联社4月24日讯（编辑 刘蕊）美东时间周三（4月23日），台积电在美国的北美技术研讨会上发布了其1.4纳米级半导体工程技术A14，并承诺该技术将在性能、功耗和晶体管密度方面，相较于其N2（2纳米级）工艺带来显著提升。
这将进一步巩固台积电在芯片制造领域的领先地位，并进一步拉大与英特尔等竞争对手的差距。
台积电公布1.4nm芯片技术制造工艺
A14是台积电的下一世代制程技术。台积电称，其表现将明显超越当前最先进的3纳米制程，以及今年晚些时候即将量产的2纳米制程。
台积电称，该技术旨在通过提供更快的计算速度和更高的能效来推动人工智能转型，此外，它还有望通过提升智能手机的内置AI功能，使其更加智能。
据台积电公布的数据显示，与即将于今年晚些时候量产的N2工艺相比， A14将在相同功耗下实现高达15%的速度提升，或在相同速度下降低高达30%的功耗，同时逻辑密度将提升20%以上。
台积电声称， A14计划于2028年投产，目前开发进展顺利，良率已提前实现。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示：
“我们的客户始终着眼于未来，而台积电的技术领导力和卓越的制造能力为他们提供了可靠的创新路线图。台积电的尖端逻辑技术（例如A14）是连接物理世界和数字世界的全面解决方案的一部分，旨在释放客户的创新潜能，推动人工智能的未来发展。”
展望未来，台积电还计划依次推出A14P、A14X、A14C等多种版本的衍生工程技术，其中， A14P是包括背侧电力供应在内的高性能版本，A14X和A14C将分别以性能最优化型和成本节省型模式进行优化。
此外，台积电还计划在2026年底推出A16制程，即采用1.6nm的制程技术。
（财联社 刘蕊）
