据闪德资讯获悉，业界传出，『三星电子』已确定将在三年内量产被称为次世代内存的“垂直通道电晶体（VCT）DRAM”的蓝图。
外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。
『三星电子』『半导体』（DS）部门的经营团队已确定这项蓝图，并正式展开产品量产的相关作业。
VCT DRAM是指将内存单元中控制电流流动的电晶体垂直排列的产品。
与传统平面方式相比，可以排列更多电晶体，实现更高容量，因此被视为潜力巨大的“游戏规则改变者”。
然而，这种制作方式比传统工艺更繁复且严苛，不仅前段制程（晶圆制作）难度高，还需动用过去DRAM制程中未曾使用过的先进封装技术，技术门槛相当高。
『三星电子』目前正量产10纳米级的第五代DRAM，并以今年量产第六代产品为目标。
随着明年开发第七代产品的时程已确定，三星在第八代（1e）DRAM与全新制程技术VCT DRAM之间进行权衡后，最终选择后者这个技术路线。
据悉，SK海力士则规划第七代DRAM，再来依次是1纳米级第1代（0a）、垂直DRAM（VG）的导入时间表。
由此来看，如果三星计划顺利推进，将领先一步开启“V DRAM时代”。
另外，传『三星电子』内部已将负责第八代产品的前期研究团队与第七代团队合并。
业界预期，VCT DRAM有望在2~3 年内看到实体产品。
业界人士指出，由于三星近期在单一DRAM领域也开始落后，可以看出他们希望通过领先未来技术重拾市场领导者的自尊心。
对于这项消息，『三星电子』则回应“尚未确定具体的DRAM产品蓝图”。
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