金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种半导体紫光紫外波段的激光器元件”的专利，公开号CN120016286A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体紫光紫外波段的激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有层间相干空穴隧穿层，所述层间相干空穴隧穿层包括第一层间相干空穴隧穿层、第二层间相干空穴隧穿层和第三层间相干空穴隧穿层。本发明构建高度周期性的静电势，调谐Feshbach分子共振来增强激光器中驻留在不同层的激子和空穴相互作用，降低p型半导体的Mg受主激活能，提升Mg的离化效率，从而诱导激光器的空穴产生层间相干空穴隧穿注入有源层，提升有源层的空穴注入效率，提升有源层电子和空穴的匹配度和均匀性，提升激光元件的光功率和斜率效率。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2025年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息477条，此外企业还拥有行政许可12个。
