功率『半导体』器件广泛应用于『新能源』、电动汽车、工业控制等领域，其可靠性直接影响整个系统的性能。科准测控小编认为，随着功率器件向高功率密度、高集成度方向发展，封装工艺和键合质量对器件可靠性的影响愈发显著。失效分析是提升功率『半导体』器件可靠性的关键手段，而力学性能测试（如推拉力测试）是评估键合强度、『芯片』粘接质量的重要方法。
本文科准测控小编将围绕功率『半导体』器件的失效分析，重点介绍Alpha W260推拉力测试机的原理、测试标准、仪器特点及测试流程，帮助『工程师』系统掌握键合强度测试方法，准确识别封装工艺缺陷，优化产品可靠性设计。
一、功率『半导体』器件失效分析概述
1、失效模式分类
功率『半导体』器件的失效模式主要包括：
开路失效（键合脱落、焊料层断裂、铝线断裂等）
短路失效（键合线短路、『芯片』裂纹导致击穿等）
参数漂移（热阻增大、接触电阻变化等）
机械失效（『芯片』破裂、封装分层等）
其中，键合失效（如焊点脱落、引线断裂）是最常见的失效模式之一，通常需要通过推拉测试进行定量分析。
二、推拉力测试原理与标准
1、 推拉力测试原理
推拉力测试（Bond Pull Test / Shear Test）是一种破坏性力学测试方法，用于评估：
a、键合线拉力强度（Wire Bond Pull Test）
b、『芯片』焊接剪切强度（Die Shear Test）
2、测试原理
拉力测试：使用精密钩针钩住键合线，施加垂直拉力，测量键合点断裂时的最大拉力（单位：gf或N）。
剪切测试：使用测力探针对『芯片』边缘施加水平推力，测量『芯片』脱离基板所需的最大剪切力。
3、测试标准
常用国际标准包括：
MIL-STD-883（美国军用标准）
JEDEC JESD22-B104（键合拉力测试）
JESD22-B109（『芯片』剪切测试）
IPC-9701（电子组件可靠性测试）
典型验收标准（以金线键合为例）：
若测试值低于标准，则判定为键合不良，可能原因包括：
键合参数（温度、压力、超声能量）不当
表面污染（氧化、有机物残留）
材料不匹配（线材与焊盘金属化层结合差）
三、检测设备和工具
1、Alpha W260推拉力测试仪
Alpha W260推拉力测试仪是评估导电银胶力学性能的专业设备，具有以下特点：
高精度测量：采用24Bit超高分辨率数据采集系统，确保测试数据的高精度、高重复性和高再现性。
多功能测试：支持推力、拉力、剪切力等多种测试模式，适用于多种封装形式和测试需求。
智能化操作：配备摇杆操作和X、Y轴自动工作台，简化了测试流程，提高了测试效率。
安全设计：每个工位均设有独立安全高度和限速，有效防止误操作对设备和样品的损坏。
模块化设计：能够自动识别并更换不同量程的测试模组，适应不同产品的测试需求。
2、推刀或钩针
3、常用工装夹具
四、测试流程
步骤一、样品准备
确认待测器件封装类型（如TO-247、QFN、BGA等）。
使用显微镜🔬检查键合点状态，避免测试已受损样品。
步骤二、设备校准
根据标准砝码校准力传感器，确保测试精度。
步骤三、测试模式选择
拉力测试：适用于键合线强度评估。
剪切测试：适用于『芯片』焊接质量评估。
步骤四、测试执行
自动或手动定位测试点。
设定测试速度（通常50-500 μm/s）。
记录断裂力值及失效模式（如焊盘脱落、线颈断裂等）。
步骤五、数据分析
统计拉力/剪切力分布，计算CPK（过程能力指数）。
结合失效模式，优化键合工艺参数。
五、典型失效案例分析
1、键合拉力不足
现象：测试值低于标准，键合点易脱落。
原因：超声能量不足、焊盘污染、温度过低。
解决方案：优化键合机参数，提高表面清洁度。
2、『芯片』剪切力低
现象：『芯片』易从基板脱落。
原因：焊料层空洞、固化不足、CTE不匹配。
解决方案：改善焊接工艺，增加焊料厚度（BLT）。
以上就是小编介绍的有关于功率『半导体』器件的失效分析的相关内容了，希望可以给大家带来帮助！如果您还想了解更多关于功率『半导体』器件的失效分析实验报告、失效分析方法和功率损耗，推拉力测试机怎么使用视频和图解，使用步骤及注意事项、作业指导书，原理、怎么校准和使用方法视频，推拉力测试仪操作规范、使用方法和测试视频 ，焊接强度测试仪使用方法和键合拉力测试仪等问题，欢迎您关注我们，也可以给我们私信和留言，【科准测控】小编将持续为大家分享推拉力测试机在锂电池电阻、晶圆、硅晶片、IC『半导体』、BGA元件焊点、ALMP封装、微电子封装、LED封装、TO封装等领域应用中可能遇到的问题及解决方案。
