应用材料申请强化基底掺杂的多制程基底处理专利，实现先进的基底掺杂制程

金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料股份有限公司申请一项名为“强化基底掺杂的多制程基底处理”的专利，公开号CN120153460A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种对基底进行掺杂的方法可包括：将半导体基底的基底表面暴露于等离子体清洁；在等离子体清洁之后使用等离子体源在基底表面上实行对掺杂剂层的沉积，掺杂剂层包含掺杂剂元素；以及当掺杂剂层被设置于基底表面上时将基底暴露于植入制程，其中植入制程将包含掺杂剂元素的离子物种引入至基底中，其中基底在跨越等离子体清洁、对掺杂剂层的沉积及植入制程的制程持续时间内维持处于真空下，且其中掺杂剂层的至少一部分在植入制程期间被植入至基底中。