AOS、EPC等企业新品demo来袭，第三代半导体赛道风云再起

以氮化镓和碳化硅作为当下极具潜力的第三代半导体材料，其代表着功率半导体技术的前沿发展方向，在电源领域展现出巨大的优势与价值。与传统硅器件相比，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体功率器件具备更高的效率、更强的耐高温性、以及更小的尺寸，能够显著提升电源系统的能效，推动Ai数据中心、通信基站、新能源汽车等高能耗产业向低碳环保方向进化。

而在全球功率半导体产业加速向第三代半导体材料迁移的态势中，无不时刻上演一场技术与资本的双重争夺战。近期，业界动作频频，从到技术突破到新品发布，第三代半导体行业赛道呈现出前所未有的活跃态势。为助力各位读者朋友了解最近第三代半导体行业新方案、新动向，充电头网整理了近期行业内推出的新品方案，下文小编将为您详细介绍。

下文品牌排序不分先后，按品牌英文首字母顺序排列。

AOS万国推出6.6kW OBC DEMO，该演示demo在AC-DC侧使用AOM040V75X2Q和AOK060V75X2Q，在DC-DC侧使用AOM040V75X3Q。

该演示demo输入电压范围广，为85-265V，50/60Hz（AC/DC），同时还能适应320-450V，50/60Hz（DC/AC）的输入条件，输出电压也具备宽范围，为250V-450V（AC/DC），在特定情况下，还能输出220V，50Hz（DC/AC）。在功率方面，当Vac≥220V时，可达到6.6kW（AC/DC模式），Vac=90V时，功率为2kW（AC/DC模式），在DC/AC模式下，最大功率为3.3kW。其效率表现十分出色，峰值效率高达96%，PFCPWM频率为65kHz，CLLC PWM频率为200kHz。这款产品还具备诸多特点，比如宽输入电压范围85-265VAC，50/60Hz，宽输出电压范围250-450VDC，最高效率可达96.5%，最大功率输出限制分别为6.6kW（AC/DC模式）和3.3kW（DC/AC模式），并且拥有输入过流、过压、欠压保护，输出过流、过压、欠压保护等多种保护功能，还配备多种故障LED显示，可通过开关自由切换AC/DC或DC/AC模式。

宜普公司推出基于EPC91109评估板，其配备了一个紧凑高效的双相同步降压转换器。该转换器输入电压范围为20–36V，输出电压可选12V、16V或20V。它使用了四颗EPC2057（50V额定电压的eGaNFET）和LTC7890模拟双相降压控制器。评估板能够配置成单输出的双相交错转换器，或者双输出的降压转换器。

当作为单输出的双相交错转换器时，其可以从36V电源向12V负载输出最高14.3A电流，相当于180W输入功率，符合USB-PD 3.1规范在36V母线下允许的最大功率。功率级面积（包含电感器）为24mm×24mm，最大元件高度为3mm，无需散热器或风冷。

该方案采用尺寸仅为6.95mm×6.60mm、高度3mm的小型电感专为功率高达180W的PD3.1应用场景设计，适用于空间受限且对功率有一点需求的PD适配器、笔电适配器等场景应用。

宜普最新推出的基于EPC2304氮化镓场效应管的高性能三相无刷直流逆变器参考设计EPC9196，其专为 96-150V电池系统打造，可提供25A有效值的持续输出电流，适用于AGV转向系统、机器人关节以及紧凑型自动驾驶车辆等场景。

在核心参数层面，其输入电压范围30-170V，输出电流25 ARMS（35A 峰值），PWM 频率最高可达150kHz，dv/dt小于10V/ns，且集成电流、电压、温度实时监测传感功能。散热方面，在无散热器自然对流条件下可输出 8.5ARMS，加装散热器后输出电流可达 13 + ARMS，即使在瞬态爆发 25ARMS 时也能保持安全温升。

作为首款针对96-150V、25ARMS条件优化的demo，EPC9196填补了市面多数参考设计在中压中流应用区间的空白，满足高功率密度电机控制系统设计需求。系统集成40针接口，适配ST、TI、Microchip及Renesa电机控制板，信号经3.3V缩放直连ADC 输入，过流保护支持硬件 / 软件双重控制。此外，EPC9196随产品附赠配套完整开发资料包，含原理图、物料清单、PCB 布局图、仿真模型等，助力工程师快速上手进行设计。

英诺赛科近期推出4kW双向PFC方案，该方案采用AC-DC图腾柱拓扑，内置4颗ISG6121TD氮化镓器件。

该demo其峰值效率表现优异，在用于整流时，在230V输入电压条件下，峰值效率可达99.03%；在用于逆变时，230V输出电压条件下，峰值效率为98.95%。开关频率为65kHz PFC。其PCBA尺寸为176×100×57mm，功率密度高达65.6W/inch³。此外，采用了InnoGaN技术，使用了4颗ISG6121TD芯片，可见该demo方案具备高效、紧凑与行业前瞻性与创新性。

英诺赛科面向 AI 算力基建的最新1.2 kW四相交错降压参考设计，针对行业对高密度化、智能化与低碳化的核心需求而生。该方案在典型 48 V 输入、12 V/100 A 输出条件下，凭借氮化镓器件的小体积、高频高效特性，将功率密度与系统效率推向极限，实现了峰值 98.1%（600 W）及满载 97.5%（1200 W）的优越表现。相较于传统硅基解决方案，整体损耗降低逾 30%，器件热点温度在无风状态下低于硅方案 15 ℃ 以上，有效提升了散热性能与系统可靠性，同时为数据中心 PUE 降本增效提供了坚实保障。

该参考设计采用英诺赛科自研的INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC与双面散热的100 V增强型 GaNFET INN100EA035A，通过四相交错 Buck 拓扑实现功率传输的平滑切换与均流分担。INS2002FQ 集成自举与 BST 钳位电路，支持独立上下拉驱动与三态 PWM 输入，可灵活调节死区时间并实现低延迟高驱动能力；INN100EA035A 则凭借超低导通电阻与高饱和磁通密度的双面散热结构，配合铂科新材料高频磁材，有效缩减电感与滤波电容体积 50%以上，使整机功率部分仅占 PCB 面积 48 × 12 mm，为新能源、通信及数据中心等多领域提供了高效、紧凑、可扩展的48 V降压方案。

近期，英诺赛科推出的INNEMD310V3A1评估板，其采用 INN700TK350B，可在台架测试中轻松评估高达300W负载的组件。

该评估板内置700V INN700TK350B GaN，具备低损耗、高转速、简化测试流程、优化布局四大优势。得益于氮化镓没有反向恢复的优异特性，加上超低的开通和关断损耗，对比同规格MOS/IGBT器件，高压氮化镓的损耗减少50%以上，可实现高性能、无散热器设计，节省BOM以及散热器装配工序成本；采用氮化镓的电机驱动器，由于足够快的开关速度，PWM频率可以提升到100KHz，可以支持电机运行在更高的转速，并且获得更好的控制性能；简化测试流程，配套无感FOC控制算法；优化布局，实现最佳性能。

纳微推出了专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，基于第三代快速碳化硅 MOSFET 与高功率GaNSafe氮化镓功率芯片的深度协同打造，完美契合开放计算项目（OCP）ORv3 规范及高功率服务器机架需求。

该方案在三相交错 TP‑PFC 与 FB‑LLC 拓扑中引入纳微独家 IntelliWeave 数字控制技术，混合采用临界导通模式与连续导通模式，确保轻载至满载工况下元件最简与效率最大化，相较传统 CCM 方案功耗降低约30%。其中，TP‑PFC 由“沟槽辅助平面栅”碳化硅 MOSFET 驱动，兼具全温域高性能、低温升与卓越鲁棒性；FB‑LLC 则由集成驱动、感测与多项保护功能的第四代 GaNSafe 氮化镓功率芯片担当，短路保护响应最快 350 ns，所有引脚提供 2 kV HBM ESD 防护，且无需额外 VCC 引脚即可实现可编程斜率控制，有效提升高功率应用的可靠性与安全性。

该参考设计尺寸仅为790 × 73.5 × 40 mm，输入电压覆盖 180–305 VAC 区间，在高于 207 VAC 条件下可稳定输出 12 kW、低于阈值时保证 10 kW 输出，输出电压最高可达 50 VDC。整机配备主动均流及完善的过流、过压、欠压与过热保护机制，并支持 3 倍稳态电流的浪涌输出（< 20 ms），可在 –5–45 °C 环境中连续运行 20 ms 负载而保持稳定。此款参考设计可助力超大规模 AI 数据中心迅速部署高功率、高密度且极具成本效益的电源基础设施。

安森美半导体的SiC Combo JFET产品，拥有极低的导通阻抗以及可精准调控的开关速度，这使其在断路器以及大功率且低开关速度要求的应用场景中，能够实现极为出色的效率表现与功率密度提升。与此同时，该器件的功率循环性能与传统硅器件相比毫不逊色，且相较于SiC MOSFET，其功率循环性能更是高出2倍有余。

为了助力客户更好地对Combo JFET器件进行评估，安森美半导体精心推出了两款评估板。其中一款专为断路器应用而设计，采用共源极配置；另一款则针对大功率开关模式应用，采用半桥配置。这两类评估板均可通过安森美的官方销售渠道获取。

近期Si-power硅动力基于旗下SP9800+SP6520H高频QR电源方案，设计了一款65W slim超薄氮化镓快充DEMO，整机三围实测仅67.43*40.04*10.77mm，功率密度高达2.24W/cm³，另外重量也仅有37g，小巧轻便，轻松满足客户对于“饼干”充电器的设计要求。

DEMO采用了硅动力SP9800+SP6520H高频QR电源方案，以及SP240N70TT1氮化镓开关管、SP05N10SRL同步整流管全套器件。SP9800数模混合信号反激控制芯片集成Cap-Less自适应CCM技术与自适应谷底锁定策略，可在大幅缩小输入母线电容体积的同时保持高效率运行；SP6520H可以动态跟踪输出电流波形，降低次级整流管导通损耗，进一步提升转换效率。

SP240N70TT1氮化镓开关管助力产品高频高效以及实现小型化。这套方案不仅非常适合超薄型充电器应用，而且全部来自硅动力，一致性也会更好，沟通成本更低，对于协助客户开发新品，缩短研发周期实现快速量产上市更有优势。

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Wolfspeed推出25千瓦双向T型逆变器demo，采用Wolfspeed 650V和1200V SiC MOSFET，适用于光伏逆变器、UPS、电动汽车快充桩、高压直流输电、人工智能/数据中心大功率PSU及储能系统等高功率场景，且具备逆变器模式和功率因数校正模式。该demo还配备一套完整评估工具，能助力新型碳化硅设计开发。

该demo设计在逆变器模式与PFC模式下均能实现峰值效率大于99%，且功率密度大于6kW/L。在逆变模式中，直流输入电压为800V DC，最大电流为36A，交流输出电压范围是380-480 Vline-line，频率为50/60Hz，最大功率可达25kW，其开关频率为60kHz。而PFC模式下，三相输入电压为380-480Vline - line，频率50/60Hz，最大电流同样为36A，直流输出电压在650V-900V之间，最大功率也是25kW，开关频率为60kHz。此设计可广泛应用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）、储能系统、电动汽车快速充电以及工业电源等领域。

芯干线最近带来12V 8.33A 100W demo，该方案内置芯干线X3G6516B5氮化镓开关管以及XD065A0065碳化硅二极管，分别用于PFC MOS、LLC MOS和PFC二极管。

据官方描述，该demo方案在110V电压输入，20%负载至满载（对应负载为20%、40%、60%、80%、100%）的情况下，通过计算得出其转换功率为92.0%、93.3%、93.6%、93.8%、93.9%。在220v电压输入，20%负载至满载（对应负载为20%、40%、60%、80%、100%）情况下，通过计算得出其转换效率为93.0%、95.0%、95.7%、95.8%、96.0%。整体转换效率在90%以上。

对于功率器件企业而言，不断推出demo方案能够为行业提供完整应用示例，以全面评估器件性能，合作企业或工程师能够验证产品特性，提前发现硬件缺陷，降低试错成本；同时推出demo还可以针对特定应用提前设计优化，降低设计难度，加速产品开发进程，是提升产品竞争力的重要前置方案。

以上便是本次第三代半导体行业demo新方案的全部内容，如您需要持续了解第三代半导体行业风向，您可以关注充电头网，我们将会持续为您整理业界最新动向。

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