目前的EUV光刻机，其实已经发展到第三代了。
第一代是ASML最开始的光刻机原型，交付了几台给英特尔、台积电们，用于7nm『芯片』的研发制造，当初的参数什么的，都不是太好。
后来升级至NA=0.33的光刻机，也称之为LOW NA EUV。比如大家最熟悉的NXE3400C，采用13.5nm光源，NA=0.33，线宽是13nm，以及后来的NXE3600D，还有NXE3800E，其实都是第二代。
而第三代则是NA=0.55的光刻机，ASML也称之为High NA EUV，主要将NA从0.33升级至0.55，线宽变成8nm。
NA是数据孔径，简单的来讲，这个值越大，到时候收集到的EUV光线越多，能量越强，分辨率就越高，制造的『芯片』就越先进。
NA=0.33的光刻机，用于7-2nm的『芯片』制造，而NA=0.55的EUV光刻机，ASML认为主要用于3-1nm『芯片』制造。至于1nm之后的『芯片』制造，则要升级下一代EUV光刻机了。
而关于下一代EUV光刻机，目前有很多方案。
有一种是ASML在研发的，继续提高数值孔径，将NA升级至0.77。
还有方案则是缩短光线的波长，比如从13.5nm的极『紫外线』，变成8nm、6.7nm之类的，还有其它采用非光刻方案的，比如纳米压印什么的。
但不管怎么样，从现在的情况来看，ASML要研发下一代EUV光刻机，只怕是研发不出来了。
特别是这种将NA提升至0.77的方案，几乎可以肯定走不通，一方面是难度太大，提升NA，需要将现有整个体系再提升，从光源到透镜难度成倍增加。
另外别小看提高这么0.22，但是成本可能会翻倍，到时候一台光刻机8、9亿美元💵，你看这些晶圆厂们还买不买？像现在台积电已经不想买NA=0.55的光刻机了，宁愿采用多重曝光方式，也不买，就是因为太贵了，要4.5亿美元💵一台，台积电承受不住，一旦变成8、9亿美元💵了，谁敢买？
至于采用其它波长光源的事，目前也没定论，因为谁也没有真正量产出来，全部还在实验室，至于纳米压印等技术，目前根本就无法大规模制造『芯片』。
所以事实上，当『芯片』产业发展到2nm、1nm时，物理极限是真的到来了，ASML这个增加作为『芯片』引擎的企业，面临着史上最大困难，因为新一代EUV研发不出来，引擎可能要熄火了。
