早在今年2月，英诺赛科便宣布率先量产采用顶部散热Dual-Cool En-FCLGA封装的100V氮化镓器件INN100EA035A 。近日，英诺赛科继续推出INN100EA050DAD和INN100EA070DAD两款新品，且沿用了INN100EA035A所采用的Dual-Cool En-FCLGA封装形式。
据了解，上述两款新品所采用的Dual-Cool En-FCLGA封装是业界首款硅场效应晶体管的点对点替代品，可有效提升效率和功率密度。在36V至80V的输入条件下，系统功率损耗可降低50%以上，为太阳能逆变、储能系统等领域带来了重大突破。
英诺赛科Dual-Cool En-FCLGA封装GaN当前，随英诺赛科INN100EA050DAD和INN100EA070DAD量产出货，英诺赛科Dual-Cool氮化镓器件家族已经趋于完善，逐步为Ai服务器、太阳能逆变以及储能系统提供低损耗、高功率密度的全新解决方案。
英诺赛科的Dual-Cool系列氮化镓的主要优势在于其采用了先进的Dual-Cool En-FCLGA封装，传统单冷却封装因热路径单一，易形成局部热点，而En-FCLGA封装由于双面散热架构的引入，通过顶部与底部的协同散热设计，较同类单面散热方案提升65%的导热效率。这一改进直接降低了器件的工作结温，显著提升系统热性能，有助于实现更高的功率密度。
Dual-Cool系列氮化镓的另一大亮点是其先进的100V E-mode GaN 技术。该技术赋予了产品极低的栅极电荷以及更低的导阻。同时，其占板面积非常小，能够有效节省PCB空间，满足现代电子设备对小型化的需求。
INN100EA050DAD和INN100EA070DAD两款新品的导阻分别为5mΩ和7mΩ，支持双面散热，可直接P2P替代Source down MOS，为系统设计提供了更大的灵活性且对PCB Layout友好，垂直电路路径设计最小化了PCB寄生电阻；在36V~80V输入条件下，系统效率大于95.5%，展现出更优秀的性能，为AI服务器电源、太阳能MPPT、储能及电机驱动等场景提供了全新功率器件解决方案。
充电头网总结目前，英诺赛科顶部散热Dual-Cool En-FCLGA封装系列的INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD均已成功量产，并实现了批量订单的交付。可见英诺赛科在功率器件领域的技术实力和市场竞争力得到了进一步的提升，为行业的技术进步和产业升级注入了新的动力。
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
