8日，第一财经从国内氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛科（02577.HK）处确认，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7万片/月。
英诺赛科是实现大规模量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM），产品覆盖晶圆制造、分立器件、智能氮化镓IC、驱动控制『芯片』和氮化镓功率模块。目前氮化镓（GaN）在充电器或者其他消费电子产品里的占比越来越高。凭借高效能和小体积，也在电池的双向电能转换、光伏的光储互补、『数据中心』功率密度提升领域发挥重要作用，有望成为替代硅的重要材料。
英诺赛科透露扩产的时间点恰逢台积电退出氮化镓代工业务，英飞凌不久前也刚高调宣布在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。现有的知名功率『半导体』企业不愿错过这样快速增长的市场是对氮化镓未来发展的认可，但在工程可实现方面，显然存在分歧。
根据Yole Group的预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元💵。
相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆的『芯片』产出数增加了2.3倍，要维持稳定的良率并不容易，样品与具备成本效益的稳定量产之间，仍有漫长的工程优化之路要走。
“送样之后是不是准备量产？如果准备量产，第一个问题应该问MOCVD设备是谁家的？这个世界上还没有可以量产12寸MOCVD，没有产业化的设备。”英诺赛科强调，公司将聚焦8英寸产线工程化的成熟度，再逐步推进12英寸产线，不会追逐概念性技术。对于12英寸技术投向市场，英诺赛科预计到2030年才能实现商业化。
“公司产品在持续迭代，未来几年内将通过产能提升和产品迭代，在性能和成本上对传统硅功率『半导体』形成显著优势。这种技术进步能为客户带来高达40%的性能提升和30%的收益。”英诺赛科认为，这不仅与产能提升相关，也意味着需要陪伴客户3-5年的时间才能看到成果。
