一出手就是3440亿,中方全力冲刺光刻技术,日媒害怕:或将取代ASML(一出手就是名场面全员斯斯哈)

一出手就是3440亿,中方全力冲刺光刻技术,日媒害怕:或将取代ASML(一出手就是名场面全员斯斯哈)

在全球『半导体』产业激烈竞争的背景下,中国正以前所未有的力度投入光刻技术研发,3440亿元人民币专项资金砸向『芯片』设备国产化,目标直指荷兰巨头ASML。这一动作不仅让中国『芯片』产业加速突破“卡脖子”技术,更让日本媒体感到前所未有的紧张——《日经亚洲》直言“中国或将取代ASML”。

美西方封锁倒逼中国自主创新

中美科技博弈持续升级,美国多次升级对华『芯片』管制,甚至禁止ASML向中国出口EUV光刻机。特朗普时期曾试图进一步限制华为昇腾『芯片』的使用,并阻挠含美国技术的『芯片』流向中国企业。尽管中国通过稀土反制迫使美国暂时让步,但未来不确定性仍存。在此背景下,中国『芯片』产业意识到,唯有实现全产业链自主可控,才能真正摆脱“卡脖子”困境。

『芯片』(资料图)

3440亿砸向光刻技术,中国全力冲刺

中国政府在“十四五”规划中明确提出『芯片』设备供应链“完全国产化”目标,并投入3440亿元人民币专项资金,重点突破光刻机、刻蚀机等核心设备。国家精准分配资源,优先攻克激光光源、光学镜头、精密控制三大关键技术,构建覆盖全产业链的研发网络。

与此同时,中国『芯片』企业也在加速技术突破。华为在东莞工厂测试国产EUV样机,采用激光诱导放电等离子体技术,与ASML的激光产生等离子体方案截然不同,绕开西方专利壁垒。复旦大学研发“无极”『芯片』,采用台式无掩膜直写光刻系统,线宽精度达0.4微米,加工速度达180平方毫米/分钟,虽暂不适用于7nm以下先进制程,但在物联网『芯片』、汽车电子等领域已具备实用价值。上海光机所林楠团队更是在极紫外光源领域实现3.42%的能量转换效率,虽与ASML的5.5%仍有差距,但已是固体光源路线的世界顶尖水平。

企业梯队攻坚,国产化率飙升

中国『芯片』设备产业已形成明确分工:华为专注EUV整机集成,北方华创攻坚刻蚀设备,中微『半导体』突破薄膜沉积。在国家政策支持下,中国『芯片』设备国产化率在三年内从不足20%提升至45%。

白宫(资料图)

市场冲击:日企下滑,ASML营收预期下调

中国的光刻技术突破已对全球市场产生直接影响。2025年1-2月,日本『半导体』设备出口罕见连续下滑,跌幅分别达6%和1.1%,主因是中国企业采购锐减。曾经占据中国光刻机市场30%份额的日本设备商,如今市场份额持续萎缩。尼康将年度利润预期下调50%,佳能光刻机订单量下滑40%,日本住友电木等材料商甚至紧急在中国设厂,试图通过本土化生产维持份额。

ASML同样受到冲击。今年年初,ASML将年度营收预期从400亿欧元💶下调至350亿,首席执行官傅恪礼承认“中国市场需求变化超出预期”。中国曾贡献ASML全球营收的36%,但到2024年底该比例已降至27%。

美国制裁反噬,中国开辟新赛道

美国的出口管制反而倒逼中国全产业链自主创新。中国不仅减少进口设备,还在碳化硅、氮化镓等第三代『半导体』领域与西方齐头并进,开辟绕开硅基『芯片』限制的新赛道。

『芯片』(资料图)

未来展望:中国能否取代ASML?

尽管中国光刻技术仍面临挑战,但3440亿的投入、全产业链的布局以及企业的快速突破,让中国『芯片』产业具备了与国际巨头掰手腕的实力。正如《日经亚洲》所言,美国的出口管制为中国『半导体』设备供应商创造了“黄金时代”。中国人民和企业越被压迫,越能迸发出惊人的力量。未来,中国不仅可能成为ASML的强劲对手,更可能在全球『半导体』产业中占据更重要的位置。

3440亿的豪赌,3年45%的国产化率提升,日本媒体的紧张,ASML的营收下滑……这一切都表明,中国『芯片』产业的崛起已不可阻挡。无论外部如何封锁,中国都将坚定走自主创新之路,直至站在全球『半导体』产业的巅峰。

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