功率半导体作为电子产业链中的核心器件,在如今的世界扮演着至关重要的角色。从日常使用的智能手机、电脑,到工业生产中的自动化设备,再到新能源汽车、智能电网等前沿领域,功率半导体的身影无处不在,其性能的优劣直接关系到电子设备的效率、稳定性和可靠性。
作为成立时间不长的长晶科技,始终深耕于半导体功率器件的研发、生产和销售,致力于为客户提供高品质、高性能的半导体产品。公司不断加大研发投入,组建了一支高素质的研发团队,专注于IGBT、MOSFET等关键技术的突破。也就在近年来,长晶科技在功率半导体领域取得了一系列令人瞩目的成果。
其最新发布的最新一代FST3.0 IGBT产品采用了微沟槽栅(1.6μm Pitch)和场终止技术,显著提高了载流子密度,降低了通态损耗和开关损耗,达到国际主流品牌最新代次水平,取得了参与高端应用市场竞争的入场券。
长晶科技参加展会现场展示相关产品
以新能源汽车市场为例,用户对动力、续航提升这两项互斥需求现状下,作为电机驱动能量转换、控制器的IGBT需要更高的转换效率。长晶FST3.0系列产品,相较上一代产品损耗可降低逾10%,有效提升电能转换效率。相较新能源汽车单体几十kWh电池电量,MW、GW级光伏、储能电站的电能效率每提升千分之一即可节省大量电能,增加电厂的经济效益,长晶FST3.0系列产品在这类应用验证结果显示均能有效提升电能转换效率。
与此同时,长晶科技正在积极筹备FST4.0代次IGBT产品开发,与战略用户协作开展芯片、封装的预研工作,紧密围绕行业需求,以主动创新的姿态走在产业链更新的前列。
长晶科技的IGBT目前仍以国内销售为主,已在多家Tier1储能品牌进行产品验证试产,2025年Q1新增2家头部客户进行测试评估以替换国际品牌。
而除了IGBT相关产品外,长晶科技的第二代SGT MOSFET(30V/40V/60V)平台也已发布,性能较上一代产品提升25%以上,为汽车电子、消费电子、工业控制等多个行业领域的变革性发展带来积极影响。同时,长晶科技全新一代DC-DC产品系列(100V/30V)正式发布,通过不断改进和创新,致力于为新能源汽车电子提供高品质、可靠性强的电源解决方案。
未来,长晶科技还将积极探索和应用新技术,如第三代半导体材料等,以满足市场对高性能、低功耗半导体器件的需求,助力功率半导体行业迎来更加辉煌的明天。