展会名称：2025国际半导体可靠性保障与失效分析创新论坛
同期举办：第七届全球IC企业家大会
第二十二届中国国际半导体博览会
展出时间：2025年11月23-25日
展览地点：北京国家会议中心
主办单位：中国半导体行业协会
中国电子信息产业发展研究院
执行单位：IC China 组委会
广东中科航国际会展有限公司
参展咨询：曹先生 I56228I6III
01产品概述
CA-IS3215/6 是一系列基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器，可用于驱动SiC、IGBT 和MOSFET 器件。器件具有先进的主动保护功能、出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达±15A 峰值的拉/灌电流能力。
CA-IS3215/6 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持1.5kVRMS 的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过40 年，同时具有良好的器件一致性以及>150V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
CA-IS3215/6 具有以下保护功能：快速过流和短路检测、有源短路保护、有源米勒钳位、主动下拉、短路钳位、软关断、故障报告、控制和驱动侧电源UVLO，同时针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。CA-IS3215/6 全系列采用 SOIC16 宽体封装，爬电距离和间隙距离大于 8mm。
02产品特性
•5.7 kVRMS 耐压等级的单通道隔离栅极驱动器
• 驱动最高达 2121 VPK 的SiC MOSFET 和 IGBT
• 33 V 最大输出驱动电压（VDD–VEE）
• ±15 A 峰值驱动电流能力
• OUTH 和OUTL 分离输出配置
• 高共模瞬态抗扰度：150 V/ns（最小值）
• 200 ns 响应时间的快速 DESAT 保护功能
• 内置4 A 峰值电流有源米勒钳位
• 发生故障时 400 mA (IGBT)或1 A (SiC) 软关断
• 驱动侧和控制侧独立的ASC 输入控制，用于在系统故障时强制开通功率管（部分型号）
• 过饱和故障时，FLT警告，通过RST/EN 复位
• 快速响应的RST/EN 关断/使能
• 输入引脚上40 ns（典型值）瞬态和脉冲抑制功能
• 12 V VDD UVLO 和电源READY 指示功能
• 直通死区保护（部分型号）
• 延时特性：
- 130 ns（最大值）传播延迟
- 30 ns（最大值）脉宽失真
- 30 ns（最大值）器件间延时匹配
• SOIC16 宽体封装，爬电距离和间隙距离>8mm
• 额定工作电压下隔离栅寿命大于40年
• 工作结温（TJ）范围 ：–40°C 至 150°C
03典型应用
•汽车电驱逆变器
• 直流快速充电桩
• 新能源车载充电器
• 汽车高压DC-DC 变换器
04应用图
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