AI算力狂奔、6G挺进毫米波、智能车变身“轮上数据中心”——驱动这一系列数字革命的硬件基础，正系于一种关键材料：覆铜板。覆铜板作为电子工业的物理底座，承载电路、传递信号，其性能直接定义着未来设备的算力密度与连接速度。但这块“隐形基石”，曾是中国制造的痛点缩影：全球70%+的产量霸主，困于20%以下的高端国产化率。毫米波雷达被美系垄断、AI服务器基板由日系主导、先进封装材料缺口超30%——产业链的“暗伤”与价值流失触目惊心。
如今破局信号正在显现：不久前湖北黄石百亿光电子投资中，高阶覆铜板项目跻身核心；本土力量如久耀电子，以革命性工艺突破技术瓶颈，打破国外垄断，推进国产化进程；中英科技等在特种树脂加速替代......一场旨在扭转“大而不强”、从成本向技术跃迁的产业攻坚全面加速。
高端覆铜板的性能突破与国产化进程，不仅关乎供应链安全，更在重塑全球电子产业地基格局，成为中国硬科技在核心材料领域能否站稳的关键观测窗。基于此，本篇内容将深入解析：
• 核心矛盾：“隐形基石”的战略价值与“大而不强”的失衡困境
• 增长引擎：AI算力、通信升级、汽车电子如何引爆“量价齐升”新逻辑
• 突围路径：国产化关键突破与替代蓝图
• 标杆样本：代表企业的创新策略与破局之道
• 价值与风险：投资锚点重构及潜在挑战
从“跟随”到“并跑”乃至“引领”的窗口期已然开启。把握“材料-设备-认证”的核心突破主线，洞悉从“替代缝隙”到“创新无人区”的跃迁逻辑，方能解锁这场基石突围的关键密码。
01 覆铜板行业战略地位与核心矛盾
（一）电子工业的“隐形基石”
覆铜板（CCL）作为印刷电路板（PCB）的核心基材，承担着导电、绝缘和机械支撑三大关键功能，其性能直接决定电子设备的信号传输效率及长期可靠性。在5G通信、人工智能、汽车电子等国家战略产业中，覆铜板已成为如同“电子工业的粮食”，是国家信息安全和产业链自主可控的核心环节。高端覆铜板领域（如高频高速、IC载板等）的技术壁垒已成为衡量一国电子材料竞争力的核心标尺，其国产化进程直接关系我国电子信息产业安全命脉。
（二）结构性失衡：大而不强的困局
中国虽已成为全球覆铜板制造大国，但行业深陷“大而不强”的结构性困局：
①低端产能过剩与恶性竞争：行业产能利用率约为70%+（低于80%-85%的均衡区间）。且低端产品在国内外占比均偏高，这也导致市场深陷价格战，显著拖累整体毛利率水平（低于20%）。
②高端领域高度受制于人：高频高速材料、IC封装基板、航空航天特种材料等国产化率不足20%，进口均价为出口价2.7倍以上。核心技术缺失引发供应链风险：
• 毫米波雷达材料：美国罗杰斯（Rogers）等企业垄断全球65%市场份额；
• AI服务器材料：单机柜覆铜板价值量飙升至传统服务器5倍，由日本松下、味之素等主导供应；
• 先进封装材料：BT/ABF载板等核心材料全球缺口超30%，长期被日本三菱瓦斯、中国台湾南亚等把控。
供应链危机凸显：2022-2024年期间，华为、中兴等企业因高端覆铜板遭遇“断供”，被迫推迟5G基站交付计划，产业安全风险暴露无遗。
（三）结构性失衡中的投资“确定性”
在万创投行看来，覆铜板行业的"大而不强"困局恰恰为资本提供了清晰赛道：
高端替代机遇明确：高端领域覆铜板进口依赖度极高，但在技术封锁背景下，政策扶持正加速国产认证进程。具备突破能力的企业已进入规模化放量窗口期，技术壁垒为其构建了实质护城河，头部企业可保持3-5年先发优势并享受高毛利。
增量需求爆发形成双轮驱动：AI服务器CCL用量达传统3-5倍，毫米波雷达材料增速快速提升，Chiplet技术扩大封装材料缺口。与此同时，行业整合窗口开启，低端产能出清加速，龙头通过并购获取产能与客户资源，技术平台化企业将成资本锚定重点。
02 高端覆铜板市场格局与增长动能
在多重引擎驱动下，全球覆铜板市场正经历结构性跃迁。预计2027年高端细分市场占比将从30%提升至45%以上，整体规模突破200亿美元。中国受益制造集群优势及政策赋能，增速有望达全球1.5倍。量价齐升的产业范式不仅重构价值链，更为掌握核心技术的企业开启持续增长通道。
（一）供给端：技术突破与产能释放正形成共振效应
国内高端覆铜板企业通过产学研协同，已在关键领域实现实质性技术突破：
• 高频材料通过纳米陶瓷改性技术将信号损耗降至国际领先水平（如中英科技的26GHz毫米波材料通过车规认证）；
• 高速领域凭借铜箔表面处理工艺创新，使传输损耗降低15%以上，逐步打入英伟达供应链；
• IC载板用光敏材料分辨率突破12μm，量产良率达90%以上。
产能方面，2024-2025年高端产能集中释放：华南高速覆铜板中试线投产、华中基地月产能突破60万张、东南亚铜箔工厂即将投运，叠加特种树脂年产能3万吨项目落地，核心原料"卡脖子"困局加速化解。
（二）需求端：三重引擎驱动结构性增长
1、AI算力升级驱动高频高速材料爆发
人工智能技术的飞速发展对数据中心基础设施提出更高要求，推动覆铜板向“高频高速、高多层、高散热”方向升级。
2、5.5G/6G通信升级拉动高频材料需求
随着5G向5.5G演进及6G研发启动，高频通信材料迎来新一轮增长：
• 5.5G基站：中国2024年启动万站级试点，毫米波频段（26/28GHz）要求天线材料Df≤0.001，PTFE及陶瓷基板需求激增。
• 卫星互联网：星链、北斗三代等低轨星座建设驱动耐极端环境的高频CCL需求。以色列Isola（欧洲分部）凭借航天级材料占据全球大部分份额，国内中英科技、纳氟科技加速替代。
3、汽车电子与先进封装增量市场
汽车电动化、智能化趋势下，电子部件占比显著提升，带动车规级覆铜板需求：
• 智能驾驶：L2+渗透率突破50%，毫米波雷达标配4-6个，电车单车覆铜板面积达0.3㎡（燃油车不足0.1㎡）；
• 动力电控：IGBT模块需高导热基板，松下电工车规级产品供不应求；
• 先进封装：Chiplet技术推动IC载板需求，ABF材料全球缺口超30%。三菱瓦斯（MGC）独家供应台积电，国内中科院化学所、广东生益电子突破光敏胶及ABF国产化。
（三）把握技术落地与产能爬坡双击机遇
当前高端覆铜板投资需聚焦技术商业化验证节点与产能转化效率：具备车规/服务器认证资质的企业已构建短期壁垒；IC载板光敏胶等突破"良率90%+"临界点的技术，预示成本曲线陡峭下移。
万创投行建议重点关注两类机会：一是产能释放与客户端匹配度，二是技术平台型企业（兼具高频、载板、热管理研发能力），其在2025-2027年行业CAGR超25%的增速窗口期内，有望实现估值与利润的戴维斯双击。但也需要需警惕高端产能建设周期（18-24个月）与需求波动的错配风险。
03 国产化突破进展与关键应用
在高端市场爆发与技术突围的双重催化下，中国企业正从"替代者"向"规则制定者"跳跃。2024年国内高频高速材料渗透率突破15%，IC载板国产化率首次站上20%关口。随着华为、中芯国际等下游龙头牵头组建国产材料验证平台，本土供应链正以"应用倒逼研发"的模式加速破壁。下一阶段，行业竞争焦点将从单一技术突破转向生态系统构建能力。
（一）政策、技术与需求三重拐点
当前高端覆铜板国产替代正迎来“实验室→量产→商用”的关键跃迁期，三大动能形成合力：
1、政策强支撑升级
国家“产业基础再造工程”将高频高速材料、IC载板列为“卡脖子”专项，31省市配套政策密集落地：
2、核心技术实质性突破
通过材料微纳结构创新与工艺重构，国产高端覆铜板产品性能指标已达国际水平：
3、产能转化效率跃升
2024-2025年高端产能进入集中释放期，例如：
• 华东某基地建成亚洲首条智能化PTFE覆铜板产线，压合均匀性提升，预计年产能达150万㎡；
• 华南某企业联合日本设备商开发卷对卷涂布生产线，IC载板用ABF替代材料良率突破85%；
• 某企业特种树脂原料年产能突破5万吨，成本较进口品降低40%。
（二）国产替代向高壁垒场景纵深拓展
国产高端覆铜板材料正从消费电子向战略领域加速渗透，形成三大突破口：
1、通信设备：攻克基站与天基设备认证
• 国内某企业高频材料通过5.5G基站26GHz频段万小时老化测试，已进入华为天线供应链；
• 低轨卫星用多层柔性基板通过真空冷热循环认证（某民营公司产品应用于北斗三代载荷）。
2、汽车电子：车规级认证构建壁垒
• 某企业77GHz毫米波雷达材料获特斯拉FSD 4.0系统定点，成为国内首次进入美系车企前装；
• 车用IGBT高导热基板（2.5W/mK）通过英飞凌AQG-324认证，预计2025年配套产能达50万张/月。
3、先进封装：晶圆级验证打开空间
• 12μm线路载板通过台积电CoWoS封装良率测试（某企业与日月光联合开发）；
• 光敏介电胶应用于长电科技XDFOI Chiplet封装，填充精度达±3μm。
亟待突破的深水区：军工航天领域国产化率仍低于10%，耐离子辐射材料（卫星）、超宽温域基板（高超音速飞行器）等仍是技术攻坚重点。
04 竞争格局与国产替代路径
随着国产化突破进入生态位争夺阶段，当前市场呈现鲜明的"金字塔型"梯队分布：塔尖由美日等国际巨头占据，垄断约65%高端市场份额，把控军工航天、车规级认证、先进封装三大战略制高点；腰部为具备百亿级产能的中国台湾南亚、联茂；底部则是加速突围的大陆企业阵营，其分层突破路径已清晰显现。
（一）国产企业的结构化突围
1、头部集团：主导中高端市场破壁
百亿级龙头技术护城河构建：通过"设备+材料"垂直整合建立优势，如国内企业自研双丝杆同步压合设备，使PTFE基板成本较进口产品低 30%+。
2、专精特新势力：卡位高增长细分赛道
高导热材料：华南某企业开发碳纤维增强环氧树脂体系，通过英飞凌IGBT模块AQG-324认证，车规基板出货量激增；
先进封装配套：某创新企业联合日系设备商开发卷对卷涂布线，ABF替代材料良率突破88%，配套长电科技XDFOI封装，单平米溢价达传统产品5倍；
极端环境基材：院所孵化企业突破聚酰亚胺/陶瓷复合技术，耐温区间拓展至-200℃~320℃，应用于低轨卫星载荷（北斗三代组件替代进度达70%）。
3、设备创新突破点
某装备企业首创等离子体表面处理系统，使铜箔粗糙度（Rz）降至1.2μm（国际标准1.8μm），高速材料传输损耗降低18%，获苹果供应链设备认证。
（二）国产替代的渐进式跃迁路径
消费电子 → 通信设备 → 汽车电子 → 军工航天
①消费电子：规模化替代的起点
作为国产替代的首个突破口，消费电子领域依托"成本+快速响应"双优势，本土企业通过铜箔减薄、填料改性等技术，将FR-4基板成本压缩至国际同行80%；
②通信设备：性能可靠性的试金石
在5G/5.5G基站领域实现"性能对标+认证突破"，当前已有本土企业PTFE材料通过华为试验，2024年5.5G试点项目份额达40%；某民营企业低轨星座用多层柔性基板通过真空冷热循环认证，公司产品应用于北斗三代载荷；头部企业建立ISO 17025认证实验室，测试标准覆盖美欧标准。
③汽车电子：车规认证构建壁垒
以"安全冗余+长效稳定性"攻克车规认证，例如77GHz毫米波雷达材料实现美系车企前装突破、车载显示屏用超薄基板（0.2mm）良率达95%，打入理想L9供应链。
④军工航天：极端环境的终极验证
在"特种环境+长寿命要求"领域加速攻坚，国产宇航级聚四氟乙烯复材通过真空冷热循环测试。
这一国产替代路径的本质是从“成本优势”向“技术壁垒”跃迁。当前多数企业处于通信设备替代阶段，汽车电子刚起步，军工领域仍需技术积累。
05 企业国产化破局关键：久耀电子创新路径分析
当国产化率突破20%左右的临界点，行业竞争核心便从“技术可达性”转向“商业可持续性”。下一阶段的决胜关键，在于企业能否构建三位一体壁垒。只有打通“材料-工艺-应用”全链条的企业，才能在高端市场的黄金增长周期中赢得持续溢价能力。以久耀电子为典型案例，其突破路径体现四大核心策略：
1、技术替代与工艺革新：
• 企业高频覆铜板性能已对标美国罗杰斯，介电常数、损耗因子等指标达到国际先进水平，而成本较进口产品低 30%-50%，加速国产替代；
• 布局“覆铜板加工用表面整平装置”专利，通过双丝杆同步驱动整平机构，解决传统单丝杆压合不均导致的基板分层问题，使铜箔粗糙度得到有效控制，满足高速传输需求。
2、定制化与场景适配：
• 其基材适用于高频环境，专注射频微波PCB覆铜板，切入卫星通信、毫米波雷达、LEO卫星、相控阵雷达、射频微波组件等高频/高速场景；
• 依托柔性化生产体系，可快速响应客户对厚度、铜箔类型的定制需求。高频基材，实现信号传输延迟降低 18%；企业开发的车载毫米波雷达专用板材，通过288℃浸锡3次无分层（满足AEC-Q200标准）。
3、产业链协同能力：
借鉴山东春鹏电子与山东理工大学合作突破挠性覆铜板胶粘剂技术，久耀电子在江苏大学等高校设立研发中心，形成“基础研究-工艺开发-量产转化”闭环。并且企业已拥有 “树脂研发 - 基材生产 - PCB 制造” 垂直整合能力，缩短研发周期（如新材开发周期从 18 个月压缩至 12 个月），实现高频材料与终端产品的协同优化。
4、成本与客户优势：
企业同等性能产品比海外客户价格低20%，其战略客户包括康普、罗森博格、中信科移动（原虹信通信），其他还覆盖国人通信、通宇通讯、亨鑫科技、摩比、安费诺等主要基站天线厂商。对应的下游直接PCB客户主要包括龙腾电子、艾诺信、协和电子、迪飞达、金信诺、艾威尔、Ascent（印度）、Epitome（印度）等。自公司成立以来长期与客户保持紧密合作关系，部分客户就要已成为其战略供方。
核心启示在于：企业需在细分领域建立“技术稀缺性”，通过设备创新反哺材料性能，形成差异化护城河。
06投资逻辑与风险预警
随着国产替代从技术破局进入产能释放深水区，高端覆铜板行业正经历价值逻辑的本质重构。在通信基板通过华为全链路验证、车规材料获特斯拉全球定点、IC载板完成台积电良率测试的背景下，资本需把握国产化率陡升曲线与技术兑现的黄金窗口。
（一）行业投融资情况：产能扩张与技术并购双线并进
2023-2024年行业融资呈现"设备创新＞材料突破＞产能复制"的优先级特征：
• 战略投资主导：国家队基金重点布局IC载板及上游树脂项目；
• 跨国技术并购加速：华南龙头收购日本某铜箔表面处理团队，使高速材料传输损耗降低18%；
• 技术设备创新受追捧：产业链设备创新型企业融资估值可达PS 12倍，专利持有数成为获产业资本注资的重要因素。
（二）投资价值重构的多维锚点
应用层面：高端覆铜板正脱离"铜价周期"束缚，形成四大成长性锚点：
高端覆铜板的替代进程呈现"应用场景分层突破、技术能力梯次进化"特征。当前投资需匹配三阶段标的：
• 头部企业看产能转化效率，如IC载板项目良率>90%且绑定台积电/日月光；
• 成长型企业重认证资质，如车规级AEC-Q200、军工NADCAP认证；
• 设备创新企业押注工艺颠覆性，如卷对卷涂布精度突破±2μm。
现阶段军工航天领域虽国产化率不足15%，但某企业联合航天科技集团开发的耐辐照聚酰亚胺基板已进入星链供应商短名单，这类"技术临界点"标的具备极高弹性。
国产化层面：高端覆铜板国产化正推动行业估值从“周期属性”向“成长属性”切换，需关注四重价值锚点：
• 国产化率斜率：高频PTFE国产化率将从10%（2024）→35%（2026），高速M6+材料从5%→25%，陡峭曲线带来估值溢价；
• 技术壁垒高度：HVLP5+铜箔（隆扬）、纳米填料PTFE（中英科技）等赛道玩家不超过3家，享受2年以上技术溢价窗口；
• 需求爆发：AI服务器CCL单机价值量增高，GB300机柜2025年出货量增长；
• 产业链自主程度：突破树脂、铜箔等上游“卡脖子”环节的企业更具长期竞争力。
产能认证层面：覆铜板国产化已突破临界点，需把握“材料-设备-认证”三位一体主线：
• 材料端：关注特种树脂国产化与封装基板突破；
• 设备端：押注工艺创新企业（如双丝杆压合技术提升良率）；
• 认证端：布局通过国际头部客户认证的标的。
未来3年是技术兑现商业价值的关键窗口，行业将经历“低端出清→高端放量→估值重构”的演进，具备技术护城河的企业将主导新一轮产业格局。
（三）风险预警与应对策略
行业高景气中需警惕四类风险：
• 技术迭代风险：日本松下开发液晶聚合物（LCP）基材，介电损耗低至0.0005，可能颠覆PTFE路线。应对：国内企业需加强液晶聚合物/陶瓷填料复合技术储备；
• 认证壁垒风险：车规级、军工认证周期长达18-24个月。应对：联合下游PCB厂共同推进客户端认证；
• 原材料波动风险：PTFE树脂进口占比大，价格波动直接影响毛利率。应对：加速国产材料替代；
• 地缘政治风险：美国对华半导体设备禁令可能延伸至高端材料。应对：布局东南亚产能。
相关企业的核心任务：在2025-2027年窗口期内，通过工艺创新降低制造成本，同时突破ABF载板、航天级材料等“无人区”，实现从“替代者”向“引领者”跃迁。
结尾：从国产替代到全球引领的窗口期
高端覆铜板行业的突围本质是一场“材料创新→设备自主→认证突破”的产业链升级战役。当前，政策强驱动、技术临界点突破与高端需求爆发的三重拐点已至，本土企业正从低端产能红海向高端技术无人区战略转移。
随着国产化率从20%向50%的陡峭曲线攀爬，行业估值逻辑正从“周期属性”向“成长溢价”切换。那些在具备垂直整合能力的企业，将不再仅是替代者，而是下一代电子工业基石的规则定义者。
