SPM清洗是半导体制造过程中常用的一种湿式化学清洗方法，主要用于去除硅片表面的有机和无机污染物。以下是关于SPM清洗硅片的详细介绍：
清洗原理
化学反应：SPM（硫酸/双氧水混合液）清洗工艺利用硫酸的强氧化性和双氧水的还原性，通过化学反应去除硅片表面的污染物。硫酸能够分解有机物质，而双氧水则有助于去除无机物质。
表面活性作用：SPM溶液中的表面活性剂能够降低液体与固体之间的表面张力，使清洗液能够更好地浸润硅片表面，从而提高清洗效果。
清洗步骤
预处理：首先，将硅片放入盛有光学纯去离子水的清洗槽中进行预清洗，以去除表面的大颗粒杂质和松散附着物。
SPM清洗：将预处理后的硅片移入装有SPM溶液的清洗槽中，设置适当的清洗时间和温度（通常为80~90℃）。在清洗过程中，SPM溶液会与硅片表面的污染物发生反应，生成可溶性物质，从而达到清洗的目的。
中间漂洗：SPM清洗完成后，使用光学纯去离子水进行中间漂洗，以去除残留的SPM溶液和反应产物。
进一步清洗：根据需要，可以将硅片放入盛有去离子水或其他专用清洗液的清洗槽中进行进一步清洗，以确保表面无残留物。
干燥：最后，使用旋转甩干或氮气吹干等方式将硅片表面的水分去除，得到干净的硅片。
注意事项
安全操作：SPM溶液具有强腐蚀性和强氧化性，因此在操作过程中需要采取必要的安全措施，如佩戴防护手套、护目镜等。
设备维护：定期对清洗设备进行维护和保养，确保设备的正常运行和清洗效果的稳定性。
质量控制：在清洗过程中需要严格控制清洗参数（如时间、温度、溶液浓度等），以确保清洗后的硅片具有良好的质量和性能。
应用效果与限制
优势：SPM清洗能有效去除硅片表面的重有机沾污和部分金属杂质，尤其适用于处理复杂污染物体系。其高温下的强氧化性可破坏顽固有机物分子结构，同时将金属转化为可溶性离子态。
局限性：当有机物污染过于严重时可能导致碳化残留；清洗后可能遗留少量硫化物副产物，需后续用SPFM（添加氢氟酸）或臭氧辅助处理才能彻底清除。
总的来说，SPM清洗是一种高效且常用的晶圆清洗方法，但在使用过程中需要注意安全操作、设备维护和质量控制等方面的问题，以确保清洗效果和硅片的质量。
