『芯片』生产可以按照整个流程环节，分为设计、制造、封测这么三块。
比如苹果、『英伟达』、华为、小米、高通、AMD等只设计『芯片』。而像台积电、中芯国际等，不设计『芯片』，只制造『芯片』，当然也有后端的封测。
像日月光、天水华天、长电科技等，则只封测『芯片』，不设计，也不制造。
当然，从整个环节来看，制造是门槛最高，投入最多，见效也最慢的，特别是现在晶圆厂们，都达到了3nm、2nm这样的阶段，制造『芯片』就更加难上加难了。
不黑也不吹，目前中国大陆的『芯片』制造能力，与全球顶尖的制造能力相比，还是相差有几代的。
为何，相差会这么多，是技术的原因么？可能会有，但其实更多的原因，还是『芯片』设备，而这些『芯片』设备中，最大的短板，其实是光刻机。
『芯片』制造，不是用手搓出来的，而是需要经过几百道工序，才能从砂子变成『芯片』。
而这过程中，需要几百种设备，比如光刻机、刻蚀机、清洗设备、离子注入机等等。
jrhz.info目前，国内在这些『芯片』设备上，最落后的就是光刻机了，甚至一些专业人士认为，目前国产光刻机与全球最强大的ASML相比，可能落后20年左右。
可能很多人不清楚，目前的大规模『芯片』制造方案，都是光刻工艺，光刻机是核心，它的成本，占所有设备成本的30%左右，其它的设备，可以说都是围绕光刻机工作的。
全球光刻机市场，ASML一家垄断了80%以上，特别是先进的EUV光刻机，ASML占到了100%的份额，顶级的浸润式DUV光刻机，ASML占了95%以上。
光刻机，与『芯片』工艺是对应的，比如ArFi（浸润式DUV），用于65nm，EUV用于7nm及以下『芯片』制造。
目前，国内对外公开的光刻机，还是ArF光刻机，用于90nm工艺的『芯片』制造，与ASML相比，确实是落后了20年，甚至更多。
当然，也有人表示称，没有公开的技术其实更先进，但不管公开没公开，浸润式DUV光刻机，肯定是没有的，EUV光刻机就更加没有了。
相比较而言，其它『半导体』设备，我们在很多领域都有突破，都比90nm的光刻机工艺更先进了。
所以一定程度上而言，光刻机确实是当前我们『芯片』制造的短板，这也是为何美国限制先进的光刻机，卖给我们的原因，美国的政策一向就是你没有时就限制，当你有了时，就倾销。
既然不准ASML卖给我们，自然是因为我们没有能力制造出同样性能的光刻机出来。
所以，接下来，我们最重要，最关键的任务，就是研发出属于自己的浸润式DUV光刻机，再研发出EUV光刻机，那么所有的禁令，都会成为废纸了。
