消息显示，国内半导体行业大尺寸磷化铟（InP）材料制备领域取得重大突破。8月19日，湖北九峰山实验室公布，近日，该实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
光大证券认为，此次技术突破，标志着我国首次实现从核心装备到关键材料（磷化铟衬底）的全链路国产化协同应用，填补了国内大尺寸InP材料制备的空白；同时，此次技术突破直接推动磷化铟材料应用场景扩容。
此前全球6英寸InP产能主要来自于美国Coherent，此次突破使中国跻身全球化合物半导体第一梯队，为光芯片、射频器件等高端领域国产化奠定基础。
同时，上游的铟金属行业将同步受益于磷化铟材料的放量。铟作为磷化铟的核心原材料，全球储量约5万吨且高度集中于中国（占比72.7%），主要分布在云南、广西、内蒙古等地。
目前，铟已被中国、欧盟、美国和日本等先后列为关键矿产，是当今世界第四次科技革命不可替代的原材料之一，具有极其重要的战略价值。
2025年2月中国实施铟出口限制后，国际铟价出现了明显上涨。随着半导体材料的国产化，将进一步拉动本土铟资源需求。
展望后市，机构预计，全球磷化铟光电子市场规模预计从2022年的30亿美元💵增至2027年的56亿美元💵，年复合增长率14%。落脚到A股市场，光大证券认为，随着技术的突破，磷化铟的国产替代有望加速，关注布局磷化铟及上游的铟金属相关上市公司。
