（来源：第三代『半导体』产业）
由厦门三安集成电路有限公司牵头制定，遵循第三代『半导体』产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 057—2025《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》于2025年8月29日正式面向产业发布。
T/CASAS 057—2025《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。
本文件适用于进行GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；
2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；
3） 以上的晶圆级及封装级产品。
【本文件主要起草单位】
厦门三安集成电路有限公司、湖南三安『半导体』有限责任公司、中山大学、广东工业大学、电子科技大学（深圳）高等研究院、深圳平湖实验室、苏州晶湛『半导体』有限公司、中国科学院『半导体』研究所、诸暨市氮矽科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏能华微电子科技发展有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市大能创智『半导体』有限公司、北京大学东莞光电研究院、北京第三代『半导体』产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
叶念慈、刘成、徐涵、严丹妮、许亚坡、刘扬、贺致远、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、罗卓然、向鹏、贾利芳、刘家才、菅端端、武乐可、孙海洋、耿霄雄、谢斌、刘强、高伟。
所有联盟正式发布的标准文本，可登录联盟官方网站，免费下载。
三安专注于氮化镓、碳化硅、砷化镓射频、滤波器等化合物『半导体』『芯片』领域的研发、设计、制造与服务平台，并持续进行技术平台的升级与产能拓展。其中高压700VGaN器件技术平台在手机快充、智能家居、植物照明等领域获得广泛导入，并推出适用于『数据中心』『服务器』电源以及人型『机器人』️等更为严苛应用场景的高压及中压器件技术。车用领域方面，三安开发出应用于轻量化车载充电器等关键组件的车规级GaN『芯片』技术平台及新型器件技术，以匹配低成本、高效率GaN基系统方案。
