氮掺杂铜基单层石墨烯
氮掺杂铜基单层石墨烯是一种在铜基底上通过化学气相沉积（CVD）方法合成的二维碳材料。该材料在石墨烯晶格中引入氮原子取代部分碳原子，从而改变其电子结构与表面活性。氮原子由于电负性较强，可有效调节石墨烯的载流子浓度、费米能级位置及局部电荷分布，从而增强其电催化性能和电化学活性。通常，氮掺杂的石墨烯可形成石墨氮、吡啶氮和吡咯氮等不同的掺杂形式，不同的氮型态会赋予材料不同的电子效应和化学反应活性。
该材料制备过程中，常以甲烷、乙炔等作为碳源，氨气、吡啶或三聚氰胺作为氮源，在铜箔基底上通过高温 CVD 生长得到单层石墨烯。氮掺杂不仅能提高石墨烯的电导率，还能赋予其丰富的缺陷位点，这些活性位点在催化氧还原反应（ORR）、氢析出反应（HER）、二氧化碳还原反应（CO2RR）中发挥重要作用。同时，氮掺杂石墨烯还能作为储能材料，提高超级电容器的比电容和循环稳定性。
应用方面，氮掺杂铜基单层石墨烯在『新能源』和催化领域具有广泛前景。例如，它可以作为金属自由的电催化剂，替代传统的铂基催化剂；在电池和超级电容器中，作为导电骨架与活性材料结合，提高电荷存储效率；在传感器领域，掺氮后的石墨烯因其表面活性增强，可提升对气体分子和小分子化合物的检测灵敏度。其在电子器件中也具备潜力，如透明导电电极和场效应晶体管。
产地：西安瑞禧生物科技
分类：CVD薄膜
尺寸：可定制
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