一、含氟（F）等离子体刻蚀气体
1. CF₄（四氟化碳）
作用：
刻蚀SiO₂、SiN、Si（搭配O₂或H₂调节C/F比例：O₂减少聚合物，H₂增加聚合物）。
产生CF₃⁺、F自由基，兼具化学与离子轰击刻蚀。
原理
：F与Si/SiO₂键结合生成挥发性SiF₄。
搭配气体
：O₂（加速刻蚀）、H₂（增强侧壁保护）。
2. SF₆（六氟化硫）
作用：
高效刻蚀Si，适合无图形区清洗或深硅刻蚀（DRIE）。
清洁腔室。
特点
：刻蚀速率高，晶圆边缘易出现过蚀，需控制流均匀性。
3. C₄F₈（八氟环丁烷）
作用：
强聚合性气体，生成聚合膜用于侧壁钝化（例如Bosch深硅刻蚀工艺）。
搭配气体
与SF₆交替使用，形成刻蚀-钝化循环。
4. CHF₃（三氟甲烷）
作用：
刻蚀SiO₂、SiN，同时形成轻微聚合物，适合浅沟槽工艺。
提供F与聚合物的平衡，控制刻蚀侧壁角度。
5. CF₃I（三氟碘甲烷）
作用：
新兴环保替代气体，提供F自由基，低温下稳定，常用于取代CF₄。
6. ClF₃（三氟化氯）
作用：
极强的清洗与刻蚀能力，常用于机台原位干清洗（尤其是CVD腔体）。
常温下也具刻蚀性，不需等离子体激活。
7. ClF₅（五氟化氯）
作用：
强氧化性气体，替代ClF₃用于原位清洗，清洗能力更强但活性更高。
8. NF₃（三氟化氮）
作用：
CVD
设备原位清洗主力气体，激发后产生F自由基清除沉积物（Si、SiN、SiO₂）。
安全性优于ClF₃，使用范围广。
二、非含氟类
9. O₂（氧气）
作用：
与含碳气体配合，调控聚合物生成；
增强刻蚀速率（如CF₄+O₂），也用于灰化（ashing）。
与含碳物质反应
10. Ar（氩气）
作用：
提供物理刻蚀能量（离子轰击），无化学反应；
用于稀释气氛、提升各向异性。
11. He（氦气）
作用：
作为背面冷却气体，稳定晶圆温度；
用于等离子体稀释或辅助放电启动。
12. N₂（氮气）
作用：
腔室惰性气体，防止反应过度；
可与O₂共同使用于poly刻蚀，调节selectivity与profile。
13. BCl₃（三氯化硼）
作用：
常用于金属（如Al、Ti）刻蚀；
与Cl₂组合使用提高选择性与刻蚀速率。
14. HCl（氯化氢）
作用：
常用于刻蚀SiGe、Ge、SiC等材料；
气相退火、表面清洁。
15. HBr（氢溴酸气体）
作用：
高选择比poly刻蚀（对氧化层）；
有效控制侧壁保护和profile。
16.Cl2（氯气）
作用：
· 常用于金属刻蚀（如Al、Ti、W、Mo等），也可刻蚀Si与III-V族材料（如GaAs、InP）；
· 与金属反应生成低沸点的氯化物（如AlCl₃、TiCl₄），易挥发，从而实现刻蚀；
· 在某些高深宽比结构中，与BCl₃组合使用，可改善侧壁垂直度；
· 氯系气体具有较强的反应性，
