PN8089HL内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。通过PWM和Burst-mode的混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。PN8089/HL可设计于反激非隔离和Buck应用环境，满足不同的应用需求。频率调制技术和SofDriver技术充分保证良好的EMI表现。
同时该『芯片』提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括VDD过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动功能等。
特性
内置800V高雪崩能力的功率
MOSFET可应用于反激非隔离和Buck拓扑PWM和Burst-mode混合模式外围精简，
无需启动电阻及CS检测电阻高低压脚位两侧排列提高安全性内置高压启动，
空载待机功耗<30mW@230VAC改善EMI的频率调制技术.供电电压9-23V，
适合宽输出电压应用优异全面的保护功能
令 过温保护(OTP)令 VDD
过压保护十逐周期过流保护(OCP
过载保护(OPP)
