产品规格信息
W-T3535 钨靶材
- 纯度：99.95%
- 规格：φ60×5mm
- 材质：金属钨
蒂姆（北京）新材料科技有限公司推出的高纯钨靶材，专为『半导体』、核工业、航空航天及高温涂层等高端应用领域设计，是应对极端条件与精密制造的理想选择。
材料核心特性：为极致性能而生 超高纯度保障
- 99.95%纯度：严格控制杂质含量，尤其是低熔点元素
- 优异的材料均一性：确保薄膜性能的高度可重复性
- 高热稳定性基础：高纯是钨发挥其卓越高温性能的前提
- φ60mm标准尺寸：适配多数科研及中试规模磁控溅射设备
- 5mm经典厚度：提供充足的溅射材料，平衡使用寿命与性价比
- 精密表面加工：确保薄膜沉积的均匀性与低缺陷率
- 最高熔点：3410°C，是所有金属元素中最高的
- 极高密度：19.3 g/cm³，提供优异的屏蔽与耐磨性能
- 优异高温强度：在极端温度下仍能保持结构完整性
- 良好导热导电性：满足热管理与电学应用的双重需求
- 『芯片』互连阻挡层：防止铜扩散的关键材料
- 功率器件电极：利用其高熔点和低电阻率
- 存储器件字线/位线：高密度集成中的理想导电材料
- 微机电系统（MEMS）：高温或耐磨结构层材料
- 聚变反应堆面向等离子体材料：承受极端热负荷
- 辐射☢️屏蔽组件涂层：高密度有效衰减辐射☢️
- 航空发动机热障涂层粘结层：高温抗氧化与腐蚀
- 航天器高温部件防护：重返大气层热防护系统
- 硬质耐磨涂层：大幅延长切削工具、模具寿命
- 耐高温腐蚀涂层：化工、能源装备表面防护
- X射线🩻靶材：医疗与工业检测设备核心部件
- 低溅射速率下仍能保持高薄膜质量
- 良好的薄膜附着力和低内应力
- 与硅、蓝宝石、金属等多种衬底兼容性好
- 晶粒尺寸均匀可控，减少异常晶粒生长
- 高密度低孔隙率，避免溅射过程中的微粒喷溅
- 表面氧化层厚度严格控制，确保快速稳定起辉
材料基本特性
- 熔点：3410°C
- 密度：19.3 g/cm³（理论值）
- 热膨胀系数：4.5×10⁻⁶/K（20-1000°C）
- 电阻率：5.6×10⁻⁸ Ω·m（20°C）
质量保证指标
- 纯度分析：提供完整杂质元素检测报告
- 密度实测：≥19.0 g/cm³
- 晶粒尺寸：ASTM 6-10级可控
- 表面粗糙度：Ra ≤ 0.8 μm
- 包装：真空/惰性气体保护，防止氧化
我们深知不同应用对钨靶材性能的差异化要求：
- 『半导体』领域：追求极高的纯度与溅射稳定性
- 核工业应用：关注高密度与抗辐射☢️损伤能力
- 工具涂层：重视薄膜硬度与结合强度
- 提供针对不同应用的溅射工艺参数建议
- 分享薄膜性能优化的实践经验
- 协助解决沉积过程中的技术问题
全方位研发支持
- 技术咨询服务：从材料特性到应用工艺的全程指导
- 灵活供应方案：支持小批量研发试样及中试规模采购
- 完整技术文件：提供材料证书、安全数据表及工艺指南
- 快速响应机制：24小时内回复技术咨询，48小时内提供解决方案
挑战性能极限，赋能尖端科技——蒂姆新材料以专业的高纯钨材料解决方案，为『半导体』制造、核能技术、航空航天及高端装备等领域的研究机构与企业，提供可靠的材料基石，共同推动技术进步与产业升级。
蒂姆（北京）新材料科技有限公司
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