直到现在，仍有不少人把『芯片』竞争的关键节点，理解为某一次禁令出台、某一份清单更新，仿佛局势是在那一刻才突然改变的。但在真正的产业竞争中，决定胜负的往往不是公开事件本身，而是这些事件发生之前，各方已经做了哪些准备。外界最近从专利数据中回溯全球光刻机技术路径时，注意到一个此前并未被广泛讨论的事实：中国对EUV光刻机的技术研究，并非在近几年才被动启动，而是在2018年前后就已经进入系统布局阶段，而当时国内主流工艺仍停留在14纳米量产水平。
如果放在当年的行业语境中，这样的选择并不符合主流预期。按照『半导体』产业长期形成的惯性逻辑，制程演进是一条相对平滑的路线，上一代技术尚未完全释放潜力，极少有人会提前投入资源去攻克下一代最复杂、风险最高的核心装备。EUV光刻机不仅研发周期漫长，而且对全球供应链的依赖程度极高，投入巨大、回报周期极不确定。也正因为如此，中国在14纳米阶段就开始围绕EUV展开研究，并未引发太多关注，甚至被部分观点视为“过早押注”。
但现实很快改变了这种看法。2018年，中国『芯片』企业在引进EUV设备过程中遭遇阻碍，这件事的影响并没有停留在单一企业层面，而是迅速在行业内部形成共识：先进『芯片』的发展，已经无法完全建立在市场规则之上，关键环节的可获得性，本身就是一种潜在风险。从那一刻起，中国『芯片』产业开始重新审视技术路线的安全性问题，EUV不再只是未来可能用到的工具，而被视为必须提前准备的关键变量。
随后的几年里，中国围绕EUV的投入逐渐显现出长期性特征。相关企业在多个技术方向上持续推进研发，专利申请数量不断累积，覆盖范围也从早期的概念探索，逐步转向更具工程指向性的细分环节。对于不熟悉行业的人来说，专利往往只是一个抽象数字，但在高端装备制造领域，持续而稳定的专利输出，意味着研发体系已经形成闭环，并且具备长期投入的能力，这种信号往往比单点技术突破更重要。
与此同时，EUV的现实难度也越来越清晰地摆在面前。它并不是某一项技术的简单升级，而是一个高度复杂的系统工程。一台成熟的DUV光刻机，已经涉及十万级别的零部件协同，而EUV的零部件规模则大幅提升。据行业估算，一台EUV光刻机的制造，需要数十个国家、数千家企业长期配合，即便是行业龙头，也只负责其中一小部分关键环节。这种高度分散的产业结构，决定了任何国家想要实现EUV的全面自主，都不可能依靠短期冲刺完成。
也正因为对这一现实有着清醒认识，中国并没有把全部希望集中在EUV这一条路径上。在持续推进长期研发的同时，中国选择在现有DUV光刻机体系内不断挖掘工艺潜力。近几年，业内普遍认为，中国已经在DUV条件下实现了7纳米工艺的稳定应用。这一进展的意义，并不仅仅体现在工艺节点数字上，更在于证明了通过流程优化、工艺整合和系统协同，既有设备仍然具备被进一步压榨的空间。
随着7纳米逐步成熟，关于是否还能继续向前推进的讨论也随之出现。有观点认为，中国可能会尝试在DUV条件下逼近5纳米。对此，业内专家普遍持谨慎态度。浸润式光刻机领域的重要学者曾指出，从工程角度看，DUV并非完全不可能触及5纳米，但这已经接近物理与制造的双重边界，即便实现，成本和复杂度也会急剧上升，商业可行性极为有限。这意味着，DUV路线更像是一种“时间换空间”的策略，而不是对EUV的长期替代。
真正值得关注的，其实并不只是这些制程节点的突破。在传统硅基『芯片』之外，另一批新型技术正在同步推进。量子『芯片』和光子『芯片』近年来频繁进入公众视野，它们并不完全依赖现有光刻体系，也不受制于传统工艺路径，更重要的是，这些领域尚未形成成熟的产业模板，全球范围内几乎不存在可以直接复制的经验。
在这些新赛道上，真正具备系统推进能力的国家并不多，中国和美国都在其中。与传统『芯片』竞争不同，量子『芯片』和光子『芯片』的发展，需要从基础研究、工程验证到产业化探索一步步推进，没有现成供应链，也不存在长期垄断者。这种环境下，传统意义上的“卡脖子”影响被明显削弱，竞争重新回到技术探索本身。
把这些不同层面的布局放在同一张图景中，就会发现，中国在先进『芯片』领域采取的，并不是单一路线的豪赌，而是一种多方向并行、长周期投入的整体策略。这种策略的优势，在于能够应对外部环境的变化，也更难被外界准确评估进展。
与之形成对照的，是美国在先进『芯片』领域所面临的现实压力。一方面，美国仍然掌握着大量核心技术和顶级企业；另一方面，传统巨头在执行力和创新节奏上的问题，也不断引发市场质疑。围绕更先进制程的竞争中，争议性消息频频出现，而在量子『芯片』、光子『芯片』这些真正指向未来的领域，美国是否还能保持过去那样的领先优势，同样存在不确定性。
『芯片』竞争走到今天，已经很难用某一次得失来判断最终走向。真正起决定作用的，是谁更早意识到风险，谁更愿意为长期不确定性付出成本。从这个角度看，中国多年前开始的那些布局，更像是在为下一阶段的竞争提前铺路。而这场较量，显然仍在进行之中。
