随着『半导体』制造工艺不断向纳米级甚至埃米级演进，晶圆表面的洁净度与微观结构控制已成为决定『芯片』良率和性能的核心因素。在这一背景下，Plasma真空等离子清洗技术凭借其高效、环保、无损及高精度等优势，逐渐成为先进制程中不可或缺的关键工艺环节。本文将系统探讨Plasma真空等离子清洗机在晶圆表面处理中所发挥的多重作用。
一、去除有机污染物，提升表面洁净度
在晶圆制造过程中，无论是光刻、沉积还是刻蚀等步骤，都可能在晶圆表面残留微量有机物(如光刻胶残渣、油脂、指纹或挥发性有机化合物)。这些污染物虽肉眼不可见，却会严重影响后续薄膜的附着力、电学性能甚至引发短路等致命缺陷。Plasma清洗机通过在真空腔体内引入惰性气体(如Ar)或反应性气体(如O₂、CF₄)，在高频电场作用下产生高能等离子体。其中的活性氧自由基可高效氧化分解有机污染物，将其转化为CO₂、H₂O等气态
