深圳市三佛科技有限公司介绍HN32512 可以替代BP85958D
HN32512 可在 12V/≤400mA 非隔离 AC-DC 电源场景下替代 BP85958D，两者 SOP-8 封装物理兼容。
HN32512 是一款非隔离降压控制『芯片』；采用PWM+PFM 相结合的控制方式，实现效率和待机性能的优化，降低了噪声。
HN32512只需要很少的外围元件，系统成本低，特别适合离线式小功率应用场景。
HN32512 具有丰富的保护功能，包括 VCC 过压/欠压保护，输出过压、过载保护，过温保护，CS 引脚短路保护等， 一旦发生保护，『芯片』进入自动重启状态。
典型应用电路：
核心参数对比
封装
BP85958D ：SOP-8封装
HN32512 ：SOP-8封装
替代影响：物理兼容，可直接焊盘替换。
输出规格
BP85958D：12V/400mA
HN32512：12V/≤400mA
替代影响：电流能力匹配，满足同功率需求
集成 MOS 耐压
jrhz.infoBP85958D：650V
HN32512：500V
替代影响：HN32512 耐压更低，高压 / 浪涌风险上升，需做好 EMI 防护
待机功耗（230VAC）
BP85958D：约 80mW
HN32512 ：＜50mW
替代影响：HN32512 更优，利于过 CoC Tier2 等能效认证。
拓扑支持
BP85958D：Buck/Buck-Boost
HN32512：Buck/Buck-Boost
替代影响：拓扑兼容，可沿用原架构。
外围元件
BP85958D：需外置续流二极管、启动电阻。
HN32512：内置高压启动，省启动电阻与高压电解。
替代影响：HN32512 可省 3 颗外围，BOM 成本降约 40%。
保护功能
BP85958D ：OTP / 过流 / 过压 / 欠压锁定
HN32512：OTP/OVP/UVP/ 过流 / CS 开短路
替代影响：HN32512 保护更全面，可靠性更高
替代优势
能效提升：待机功耗降低，更易通过能效认证。
成本下降：外围元件减少，BOM 成本降低约 40%，且国产『芯片』供应链更稳定。
保护更全：新增 CS 开短路保护，提升电源系统可靠性。
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