深耕北方，赋能未来——倾佳电子西安办事处助力电力电子产业升级

深耕北方，赋能未来——倾佳电子西安办事处助力电力电子产业升级

深圳倾佳电子有限公司（以下简称“倾佳电子”）作为国内领先的功率『半导体』专业代理商，长期致力于为客户提供高性能的碳化硅（SiC）功率器件及系统解决方案。为进一步深耕北方市场，倾佳电子西安办事处现已全面启动，旨在为北方区的电力电子客户提供更加高效、专业、及时的本地化技术支持与商务服务。

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核心定位：SiC功率『半导体』技术服务商

作为**基本『半导体』（BASIC Semiconductor）**的授权代理商，倾佳电子西安办事处紧跟第三代『半导体』技术变革，专注于碳化硅MOSFET分立器件、工业级功率模块及其驱动方案的推广与应用。

主营产品与技术优势

依托基本『半导体』第三代『芯片』技术，我们为北方区客户提供：

• 全系列SiC MOSFET分立器件： 涵盖TO-247-3/4、TO-263-7等多种封装，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和卓越的高温稳定性。
• 高性能SiC功率模块： 重点推广Pcore™2 ED3系列、E2B、62mm及34mm等标准工业模块，完美替代进口IGBT（如富士2MBI800XNE-120、英飞凌FF900R12ME7等），显著提升系统功率密度。
• 一体化驱动方案： 提供匹配SiC特性的隔离驱动『芯片』及板级驱动方案，解决米勒效应等应用难题。

一、 碳化硅肖特基二极管 (SiC SBD)

型号：B3D120040HC 描述：SiC SBD, 400V, 120A 封装：TO-247-3

型号：B3D04065KF 描述：SiC SBD, 650V, 4A 封装：TO-220F-2

型号：B3D04065E 描述：SiC SBD, 650V, 4A 封装：TO-252-3

型号：B3D04065K 描述：SiC SBD, 650V, 4A 封装：TO-220-2

型号：B3D04065KS 描述：SiC SBD, 650V, 4A 封装：TO-220-isolated

型号：B3D06065K / B3D06065KS / B3D06065KF / B3D06065E 描述：SiC SBD, 650V, 6A 封装：TO-220 / TO-220-iso / TO-220F / TO-252

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型号：B3D08065K / B3D08065KS / B3D08065E 描述：SiC SBD, 650V, 8A 封装：TO-220 / TO-220-iso / TO-252

型号：B3D10065K / B3D10065KF / B3D10065KS / B3D10065E / B3D10065F 描述：SiC SBD, 650V, 10A 封装：TO-220 / TO-220F / TO-220-iso / TO-252 / TO-263

型号：B3D20065TF / B3D20065HC / B3D20065H / B3D20065K / B3D20065F 描述：SiC SBD, 650V, 20A 封装：TO-3PF / TO-247-3 / TO-247-2 / TO-220 / TO-263

型号：B3D30065H / B3D40065HC / B3D40065H / B3D50065H 描述：SiC SBD, 650V, 30A-50A 封装：TO-247

型号：B3D60065HC / B3D60065H2 / B3DM060065N 描述：SiC SBD, 650V, 60A 封装：TO-247-3 / TO-247-2 / SOT-227

型号：B3D80065HC / B3D80065H2 描述：SiC SBD, 650V, 80A 封装：TO-247-3 / TO-247-2

型号：B2D02120E1 / B3D03120E 描述：SiC SBD, 1200V, 2A-3A 封装：TO-252

型号：B3D05120K / B3D05120E 描述：SiC SBD, 1200V, 5A 封装：TO-220-2 / TO-252-2

型号：B3D10120HC / B3D10120H / B3D10120E / B3D10120K / B3D10120F 描述：SiC SBD, 1200V, 10A 封装：TO-247-3 / TO-247-2 / TO-252 / TO-220 / TO-263

型号：B3D15120H / B3D20120HC / B3D20120F / B3D20120H 描述：SiC SBD, 1200V, 15A-20A 封装：TO-247 / TO-263

型号：B3D25120H / B3D30120H / B3D30120HC 描述：SiC SBD, 1200V, 25A-30A 封装：TO-247

型号：B3D40120H2 / B5D40120H / B3D40120H / B3D40120HC 描述：SiC SBD, 1200V, 40A 封装：TO-247

型号：B3D50120H / B3D50120H2 / B3D60120H2 / B3D60120HC / B3DM060120N 描述：SiC SBD, 1200V, 50A-60A 封装：TO-247 / SOT-227

型号：B3D80120H2 / B3D80120HC / B3D80120W / B3DM080120N / B3DM100120N 描述：SiC SBD, 1200V, 80A-100A 封装：TO-247 / TO-247PLUS / SOT-227

型号：B3D30140H / B3D40140H / B3D60140HC / B3D60140H2 / B3D80140H2 描述：SiC SBD, 1400V, 30A-80A 封装：TO-247

型号：B3D40200H 描述：SiC SBD, 2000V, 40A 封装：TO-247-2

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二、 碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET)

型号：B3M025065H / B3M025065L / B3M025065Z / B3M025065B / B3M025065R 描述：SiC MOSFET (工业级), 650V, 25.0mΩ, 108A-125A 封装：TO-247-3 / TOLL / TO-247-4 / TOLT / TO-263-7

型号：AB3M025065CQ / AB3M025065C 描述：SiC MOSFET (车规级), 650V, 25.0mΩ, 108A-115A 封装：QDPAK / T2PAK-7

型号：B3M040065L / B3M040065B / B3M040065H / B3M040065Z / B3M040065R 描述：SiC MOSFET (工业级), 650V, 40.0mΩ, 64A-67A 封装：TOLL / TOLT / TO-247-3 / TO-247-4 / TO-263-7

型号：AB3M040065C 描述：SiC MOSFET (车规级), 650V, 40.0mΩ, 67A 封装：T2PAK-7

型号：B3M008C075Z / B3M010C075Z / B3M010C075H / B3M025075Z / B3M040075Z*** 描述：SiC MOSFET (工业级), 750V, 8mΩ-40mΩ 封装：TO-247-4 / TO-247-3

型号：B3M006C120Y / B3M011C120Y* 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 6mΩ-11mΩ 封装：TO-247PLUS-4

型号：B2M011120HK / B3M011C120H / B3M011C120Z 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 11.0mΩ, 162A-223A 封装：TO-247-4 / TO-247-3

型号：B3M013C120H / B3M013C120Z 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 13.5mΩ, 176A-180A 封装：TO-247-3 / TO-247-4

型号：B2M015120N / B2M030120N 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 15mΩ / 30mΩ 封装：SOT-227

型号：B3M020120H / B3M020120ZL / B3M020120ZN* 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 20.0mΩ, 127A 封装：TO-247-3 / TO-247-4L / TO-247-4NL

型号：B2M030120Z / B2M030120H / B2M030120R 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 30.0mΩ, 94A-97A 封装：TO-247-4 / TO-247-3 / TO-263-7

型号：B3M035120H / B3M035120ZL / B3M035120ZN** 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 35.0mΩ, 81A 封装：TO-247-3 / TO-247-4L / TO-247-4NL

型号：B3M040120H / B3M040120R / B3M040120Z / B3M040120ZL / B3M040120ZN 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 40.0mΩ, 63A-64A 封装：TO-247-3 / TO-263-7 / TO-247-4 / TO-247-4L / TO-247-4NL

型号：AB3M040120CQ / AB2M040120Z / AB2M040120R* 描述：SiC MOSFET (车规级), 1200V, 40.0mΩ 封装：QDPAK / TO-247-4 / TO-263-7

型号：B2M040120Z / B2M040120H / B2M040120R / B2M040120T 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 40.0mΩ, 58A-73A 封装：TO-247 / TO-263 / HSOP8

型号：B2M065120T / B2M065120Z / B2M065120H / B2M065120R 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 65.0mΩ, 42A-47A 封装：HSOP8 / TO-247 / TO-263

型号：B2M080120Z / B2M080120ZL / B2M080120H / B2M080120R / AB2M080120Z / AB2M080120H / AB2M080120R 描述：SiC MOSFET (工业/车规), 1200V, 80.0mΩ, 37A-39A 封装：TO-247 / TO-263

型号：B2M160120Z / B2M160120H / B2M160120R 描述：SiC MOSFET (工业级), 1200V, 160.0mΩ, 22A-22.5A 封装：TO-247 / TO-263

型号：B3M010140Y / B3M020140ZL / B3M042140Z 描述：SiC MOSFET (工业级), 1400V, 10mΩ-42mΩ 封装：TO-247PLUS / TO-247-4

型号：B2M600170R / B2M600170H / B2M600170HH 描述：SiC MOSFET (工业级), 1700V, 600.0mΩ, 6A-7A 封装：TO-263-7 / TO-247-3 / TO-247-3H (高爬电)

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三、 工业级全碳化硅功率模块

型号：BMH027MR07E1G3 描述：SiC Module, 650V, 27.0mΩ, 40A 封装：Pcore™4 E1B

型号：BMF011MR12E1G3 / BMF008MR12E2G3 / BMF240R12E2G3 描述：SiC Module, 1200V, 5.5mΩ-11mΩ, 120A-240A 封装：Pcore™2 E1B / E2B

型号：BMF540R12MZA3 描述：SiC Module, 1200V, 2.2mΩ, 540A 封装：Pcore™2 ED3

型号：BMF160R12RA3 / BMF120R12RB3 / BMF80R12RA3 / BMF60R12RB3 描述：SiC Module, 1200V, 7.5mΩ-21.2mΩ, 60A-160A 封装：34mm

型号：BMF540R12KA3 / BMF240R12KHB3 / BMF360R12KA3 描述：SiC Module, 1200V, 2.5mΩ-5.3mΩ, 240A-540A 封装：62mm

型号：BMS065MR12EP2CA2 描述：SiC Module, 1200V, 65.0mΩ, 25A 封装：Pcore™12 EP2

型号：BMCS002MR12L3CG5 / BMZ0D60MR12L3G5 描述：SiC Module, 1200V, 0.9mΩ-1.0mΩ, 760A-1140A 封装：L3

四、 混合碳化硅分立器件 (Hybrid SiC)

型号：BGH50N65HF1 / BGH50N65HS1 / BGH50N65ZF1 描述：Hybrid SiC, 650V, IC=50A 封装：TO-247-3 / TO-247-4

型号：BGH75N65HS1 / BGH75N65HF1 / BGH75N65ZF1 描述：Hybrid SiC, 650V, IC=75A 封装：TO-247-3 / TO-247-4

型号：BGH40N120HS1 / BGH75N120HF1 描述：Hybrid SiC, 1200V, IC=40A-75A 封装：TO-247-3

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五、 集成电路『芯片』 (IC)

型号：BTD3011R 描述：门极隔离驱动『芯片』, 1通道, 5000Vrms, 退饱和保护/软关断/集成正电源 封装：SOW-16

型号：BTD5350MBPR / BTD5350MCPR / BTD5350MBWR / BTD5350MCWR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 1通道, 3000-5000Vrms, 米勒钳位功能 封装：SOP-8 / SOW-8

型号：BTD5350SBPR / BTD5350SCPR / BTD5350SBWR / BTD5350SCWR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 1通道, 3000-5000Vrms, 开通/关断分别控制 封装：SOP-8 / SOW-8

型号：BTD5350EBPR / BTD5350ECPR / BTD5350EBWR / BTD5350ECWR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 1通道, 3000-5000Vrms, 副边正电源带欠压保护 封装：SOP-8 / SOW-8

型号：BTD21520MAWR / BTD21520MBWR / BTD21520MAPR / BTD21520MBPR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 2通道, 3000-5000Vrms, 同相输入/死区配置/禁用 封装：SOW-14 / SOP-16

型号：BTD21520SAWR / BTD21520SBWR / BTD21520SAPR / BTD21520SBPR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 2通道, 3000-5000Vrms, 同相输入/带禁用功能 封装：SOW-14 / SOP-16

型号：BTD21520EAWR / BTD21520EBWR / BTD21520EAPR / BTD21520EBPR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 2通道, 3000-5000Vrms, 单PWM输入/死区配置/禁用 封装：SOW-14 / SOP-16

型号：BTD25350MMBWR / BTD25350MMCWR / BTD25350MSBWR / BTD25350MSCWR / BTD25350MEBWR / BTD25350MECWR 描述：门极隔离驱动『芯片』, 2通道, 5000Vrms, 集成米勒钳位/开分控/欠压保护 封装：SOW-18

型号：BTL27523R / BTL27523BR / BTL27524R / BTL27524BR 描述：低边门极驱动『芯片』, 2通道, 输入输出同相或反相 封装：SOP-8

型号：BTP1521F / BTP1521P 描述：正激DCDC开关电源『芯片』 封装：DFN3*3-8 / SOP-8

我们的使命

倾佳电子秉持推动国产SiC模块全面替代进口IGBT模块的使命，通过系统的电力电子仿真、精准的热管理设计以及完善的可靠性验证（如HTGB/HTRB/H3TRB等试验保障），助力北方区电力电子企业实现核心元器件的自主可控与产业升级。

核心理念： 专注碳化硅，引领三趋势，服务电力电子每一处需求。