『三星电子』CTO：内存强劲需求料持续到2027年 HBM4客户反响良好(『三星电子』组织架构)

【『三星电子』CTO：内存强劲需求料持续到2027年 HBM4客户反响良好】财联社2月11日电，『三星电子』首席技术官表示，该公司预计，市场对内存『芯片』的强劲需求不仅将持续今年全年，而且还将持续到明年，因为人工智能推动了强劲的需求。他还重点强调，三星公司的HBM4『芯片』显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。据报道，三星计划在本月晚些时候开始HBM4的大规模生产并将其交付给主要客户。其HBM4『芯片』使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元『芯片』，同时使用4纳米工艺制造基板『芯片』。基于这些技术，三星的HBM4『芯片』实现了高达每秒11.7Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。