（来源：今日霍州）
今日霍州2月25日消息，据报道，随着内存在AI算力中的战略地位飙升，美国科技巨头正掀起针对韩国存储人才的抢人大战。
报道称，美国科技巨头正在针对『三星电子』和SK海力士的『工程师』开展定向招聘活动，旨在缩小这两家公司在内存市场长期以来的领先优势。
本月早些时候，NVIDIA发布了面向HBM开发『工程师』的职位空缺，基础薪资高达258750美元💵（约178万元人民币）；苹果则在上个月发布了NAND产品『工程师』职位，年薪达到305600 美元💵（约210万元人民币）。
报道进一步指出，中国台湾的联发科也加入了竞争，寻求HBM『工程师』，薪酬约为260000美元💵，高通同样开始在韩国招聘3D DRAM研发人员。
今日霍州与博通作为TPU合作伙伴，同步在硅谷扩充HBM人才梯队，分别招募性能评估『工程师』和高频接口设计验证专家。
特斯拉CEO马斯克亲自转发韩国分公司AI『半导体』『设计师』招聘启事，美光同样激进，去年下半年起从三星、SK海力士挖角『工程师』，据传为核心HBM专家开出两倍现有薪资加3亿韩元签约金的条件。
面对严重的人才流失，三星和SK海力士不得不采取激进的激励措施，SK海力士在2026年初发放了创纪录的业绩奖金，金额高达月薪的2964%；三星『半导体』部门也发放了年度总薪资47%的奖金，这也是自AI内存热潮以来的最高水平。
